特許
J-GLOBAL ID：201303049963384260

ガスの金属汚染評価方法

発明者：
稲田 聡史

稲田 聡史 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-025385
公開番号（公開出願番号）：特開2013-162092
出願日： 2012年02月08日
公開日（公表日）： 2013年08月19日
要約：
【課題】気相成長装置に導入されるガスの金属汚染評価を効率的に短時間で実施できる方法を提供することを目的とする。【解決手段】気相成長装置のチャンバー内に導入するガスの金属汚染を評価する方法であって、前記気相成長装置のチャンバー内にシリコン単結晶基板を配置し、前記チャンバー内に評価対象のガスを導入することで前記シリコン単結晶基板を前記評価対象のガスに暴露し、その後、前記チャンバー内で前記シリコン単結晶基板を熱処理し、該熱処理したシリコン単結晶基板のウェーハライフタイムを測定して、該ウェーハライフタイムの測定結果を基に前記評価対象のガスの金属汚染を評価するガスの金属汚染評価方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
気相成長装置のチャンバー内に導入するガスの金属汚染を評価する方法であって、 前記気相成長装置のチャンバー内にシリコン単結晶基板を配置し、前記チャンバー内に評価対象のガスを導入することで前記シリコン単結晶基板を前記評価対象のガスに暴露し、その後、前記チャンバー内で前記シリコン単結晶基板を熱処理し、該熱処理したシリコン単結晶基板のウェーハライフタイムを測定して、該ウェーハライフタイムの測定結果を基に前記評価対象のガスの金属汚染を評価することを特徴とするガスの金属汚染評価方法。
IPC (1件)：
H01L 21/205
FI (1件)：
H01L21/205
Fターム (8件)：
5F045AB02 ,  5F045AC05 ,  5F045AC13 ,  5F045AF03 ,  5F045BB14 ,  5F045EB08 ,  5F045GB11 ,  5F045HA16
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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