特許
J-GLOBAL ID:201303050365988027

半導体発光装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人 山王坂特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-049409
公開番号(公開出願番号):特開2013-187245
出願日: 2012年03月06日
公開日(公表日): 2013年09月19日
要約:
【課題】LEDと蛍光体とを組み合わせた半導体発光装置において、光の取り出し効率を低下させることなく外観色を改善する。【解決手段】基材と、基材上に実装された半導体素子と、半導体素子の上に配置された蛍光体層と、前記蛍光体層の上に空間を挟んで配置された透明部材とを備え、透明部材は、少なくとも片面に特定の凹凸形状が形成されている。この凹凸形状は、算術平均粗さRa(JIS B0601:1994)が0.2μm〜8μmの範囲であって、Ra以下である領域の割合が凹凸形状全体の面積の50%以上である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基材と、前記基材上に実装された半導体素子と、前記半導体素子の上に配置された蛍光体層と、前記蛍光体層の上に空間を挟んで配置された透明部材とを備えた半導体発光装置であって、 前記透明部材は、少なくとも片面に凹凸形状が形成されたものであり、 前記凹凸形状は、算術平均粗さRa(JIS B0601:1994)が0.2μm〜8μmの範囲であって、且つ前記Ra以下である領域の割合が凹凸形状全体の面積の50%以上であることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件):
H01L 33/48
FI (1件):
H01L33/00 400
Fターム (11件):
5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041AA14 ,  5F041CB36 ,  5F041DA12 ,  5F041DA19 ,  5F041DA34 ,  5F041DA39 ,  5F041DA74 ,  5F041DA76 ,  5F041DB09
引用特許:
審査官引用 (4件)
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