基板処理装置、半導体装置の製造方法及び流量制御方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人アイ・ピー・エス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-061682
公開番号（公開出願番号）：特開2013-197249
出願日： 2012年03月19日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：

【課題】用いる装置を構成を簡単にしやすく、用いる装置を小型化しやすい基板処理装置、半導体装置の製造方法及び流量制御方法を提供する。【解決手段】基板処理装置100は、複数の処理ガス供給管310等及び複数の処理ガス供給管310等にそれぞれが取り付けられたマスフローコントローラ440等を備えた処理ガス供給機構300と、複数の処理ガス供給管310等に不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構500と、を有し、不活性ガス供給機構500は、処理ガス供給管310等にそれぞれ連通する不活性ガス供給管510と、不活性ガス供給管510に取り付けられた複数のマスフローメータ540等とを有し、複数の処理ガス供給管310等に取り付けられたマスフローコントローラ440等の制御可能な最大流量値に応じて、複数のマスフローメータ540等のいずれかを用いるように制御するコントローラ600をさらに有する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

収納した基板を処理する処理室と、前記処理室に処理ガスを供給するように、それぞれが前記処理室と連通する複数の処理ガス供給管と、前記複数の処理ガス供給管のそれぞれに取り付けられていて、前記処理室に供給する処理ガスの流量を制御する複数の流量制御器とを備えた処理ガス供給手段と、前記処理室内を排気する排気手段と、前記複数の処理ガス供給管に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、を有し、前記不活性ガス供給手段は、前記複数の処理ガス供給管のいずれかの処理ガスの供給方向において前記流量制御器よりも上流側の位置に不活性ガスを供給するように、前記複数の処理ガス供給管のそれぞれに連通された不活性ガス供給管と、不活性ガスの流量を測定するように、前記不活性ガス供給管にそれぞれが取り付けられていて、測定可能な最大流量値が互いに異なる複数の流量測定器と、を有し、前記不活性ガス供給管から不活性ガスが供給される前記処理ガス供給管に取り付けられた前記流量制御器の制御可能な最大流量値に応じて、前記複数の流量測定器のいずれかを用いるように、少なくとも前記不活性ガス供給手段を制御する制御部をさらに有する基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/455

FI (2件)：

H01L21/205 , C23C16/455

Fターム (33件)：

4K030AA04 , 4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA29 , 4K030BB02 , 4K030BB14 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030FA10 , 4K030GA07 , 4K030HA01 , 4K030KA04 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 5F045AA06 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045BB08 , 5F045DP19 , 5F045DP28 , 5F045EB05 , 5F045EE04 , 5F045EE13 , 5F045EE14 , 5F045EK06 , 5F045GB02

前のページに戻る