特許

J-GLOBAL ID：201303050537919200

窒化物結晶の製造方法

発明者： 藤澤 英夫 ,  三川 豊 ,  鎌田 和典
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-251369
公開番号（公開出願番号）：特開2013-107819
出願日： 2012年11月15日
公開日（公表日）： 2013年06月06日
要約：

【課題】本発明は、種結晶の反りや歪が、該種結晶上に成長された結晶に及ぼす影響を低減し、大型で低転位、低歪みの窒化物結晶を製造し得る方法を提供することを課題とする。【解決手段】本発明は、種結晶上に成長結晶をa軸方向に成長させて窒化物結晶を得る窒化物結晶の製造方法であって、成長面として実質的にA面を出現させずに前記成長結晶を前記種結晶のa軸方向に成長させることを特徴とする、窒化物結晶の製造方法に関する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

種結晶上に成長結晶をa軸方向に成長させて窒化物結晶を得る窒化物結晶の製造方法であって、成長面として実質的にA面を出現させずに前記成長結晶を前記種結晶のa軸方向に成長させることを特徴とする、窒化物結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  C30B 7/10

FI (2件)：

C30B29/38 D ,  C30B7/10

Fターム (15件)：

4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077CB04 ,  4G077ED01 ,  4G077ED02 ,  4G077EE07 ,  4G077EG11 ,  4G077FG13 ,  4G077FG16 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077KA03 ,  4G077KA07 ,  4G077KA13

引用特許：

審査官引用 (4件)

• III族窒化物半導体製造方法およびIII族窒化物半導体育成用の種結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-202647   出願人：豊田合成株式会社, 森勇介
• テンプレート型基板及びその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-558482   出願人：アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン, 日亜化学工業株式会社
• III族窒化物の結晶成長方法およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-355335   出願人：株式会社リコー
• 窒化物半導体ウエハ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-109099   出願人：日亜化学工業株式会社