特許

J-GLOBAL ID：201303050555634914

半導体発光素子パッケージ

発明者： 金 台 勳 ,  蔡 昇 完 ,  金 晟 泰 ,  李 守 烈
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-147787
公開番号（公開出願番号）：特開2013-012744
出願日： 2012年06月29日
公開日（公表日）： 2013年01月17日
要約：

【課題】発光素子の駆動のために提供される整流回路及びその他の駆動回路を半導体基板の内部に集積させることによりサイズを小型化した一体構造の半導体発光素子パッケージを提供する。【解決手段】本発明の半導体発光素子パッケージは、第1の主面及びこれと対向する第2の主面を有する半導体基板と、半導体基板の第1の主面側に配置された光源と、半導体基板の第2の主面側に配置された複数の電極パッドと、複数の電極パッドから伸びて半導体基板を第2の主面から第1の主面に貫通する導電性ビアと、半導体基板の内部の相対的にp型不純物濃度が高いp型領域と相対的にn型不純物濃度が高いn型領域とがpn接合をなして形成される複数のダイオードを含み、且つ導電性ビア及び光源に電気的に連結されて複数の電極パッドを介して印加される交流電流を整流して光源に供給する駆動回路部と、を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の主面及びこれと対向する第2の主面を有する半導体基板と、 前記半導体基板の第1の主面側に配置された光源と、 前記半導体基板の第2の主面側に配置された複数の電極パッドと、 前記複数の電極パッドから伸びて前記半導体基板を第2の主面から前記第1の主面に貫通する導電性ビアと、 前記半導体基板の内部の相対的にp型不純物濃度が高いp型領域と相対的にn型不純物濃度が高いn型領域とがpn接合をなして形成される複数のダイオードを含み、且つ前記導電性ビア及び前記光源に電気的に連結されて前記複数の電極パッドを介して印加される交流電流を整流して前記光源に供給する駆動回路部と、を有することを特徴とする半導体発光素子パッケージ。

IPC (2件)：

H01L 33/62 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L33/00 440 ,  H01L33/00 J

Fターム (26件)：

5F141AA23 ,  5F141AA47 ,  5F141BB09 ,  5F141BB24 ,  5F141BB25 ,  5F141BB27 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA40 ,  5F141CA64 ,  5F141CA65 ,  5F141CA66 ,  5F142AA56 ,  5F142BA02 ,  5F142BA32 ,  5F142CD02 ,  5F142CD15 ,  5F142CD43 ,  5F142CD44 ,  5F142CD47 ,  5F142CE02 ,  5F142CE04 ,  5F142CE06 ,  5F142CE13 ,  5F142DB24 ,  5F142FA03