特許

J-GLOBAL ID：201303050741326251

光電変換素子、光電気化学電池およびこれに用いる金属錯体色素

発明者： 谷 征夫 ,  薄 達也 ,  小林 克
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (2件)： 飯田 敏三 ,  宮前 尚祐
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-077276
公開番号（公開出願番号）：特開2013-175468
出願日： 2013年04月02日
公開日（公表日）： 2013年09月05日
要約：

【課題】長波長側のεが向上し、高い耐熱耐久性を実現することができる光電変換素子、光化学電池、及びこれに用いられる色素を提供する。【解決手段】導電性支持体上側に、色素が吸着された半導体微粒子の層を有する感光体層と、電荷移動体層と、対極とを配設した積層構造をもつ光電変換素子であって、該色素が下記式(1)で表される金属錯体色素である光電変換素子。 M1L1L2Z1 (1)[式(1)において、M1は金属原子を表し、Z1は1座の配位子を表す。L1は特定の3座の配位子を表す。L2は、特定の2座の配位子を表す。]【選択図】図1

請求項（抜粋）：

導電性支持体上側に、色素が吸着された半導体微粒子の層を有する感光体層と、電荷移動体層と、対極とを配設した積層構造をもつ光電変換素子であって、該色素が下記式(1)で表される金属錯体色素である光電変換素子。 M1L1L2Z1 (1) [式(1)において、M1は金属原子を表し、Z1は1座の配位子を表す。L1は下記式(L1)で表される3座の配位子を表す。L2は、下記式(L2)で表される2座の配位子を表す。]

IPC (3件)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04 ,  C09B 57/10

FI (3件)：

H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z ,  C09B57/10

Fターム (18件)：

4H050AA01 ,  4H050AB92 ,  4H050WB14 ,  4H050WB21 ,  5F151AA14 ,  5F151FA03 ,  5F151FA06 ,  5F151FA08 ,  5F151GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032CC11 ,  5H032EE04 ,  5H032EE06 ,  5H032EE16 ,  5H032EE17 ,  5H032HH04