特許

J-GLOBAL ID：201303050975995270

Bi0.5Na0.5Ti03ペロブスカイト型セラミックスに基づくセラミック素材,該セラミック素材を含む圧電アクチュエータ,及び該セラミック素材の製造方法

発明者： ワン ヨンリ ,  クリスチャン ホフマン
出願人/特許権者： エプコス アーゲー
代理人 (3件)： 杉村 憲司 ,  福尾 誠 ,  吉澤 雄郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-528691
公開番号（公開出願番号）：特表2013-542161
出願日： 2011年09月16日
公開日（公表日）： 2013年11月21日
要約：

本発明は,一般式(BixNayM1zLuM2vVw)(Ti1-sZs)O3で表わされ,ここにM1は第1族に属する少なくとも1種の元素を含み,M2は第2族に属する少なくとも1種の元素を含み,Lはランタノイド元素の少なくとも1種を含み,Vは空孔であり,ZはZr, Hf及びこれらの組み合わせから選択されているセラミック素材を提供する。更に本発明は,セラミック素材を含む圧電アクチュエータ及びセラミック素材の製造方法も提供する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

一般式(BixNayM1zLuM2vVw)(Ti1-sZs)O3で表わされ,ここに x + y + z + u + v + w = 1

IPC (4件)：

C04B 35/462 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/43

FI (4件)：

C04B35/46 J ,  H01L41/187 ,  H01L41/09 ,  H01L41/43

Fターム (15件)：

4G031AA01 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA09 ,  4G031AA10 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA35 ,  4G031BA10 ,  4G031CA01 ,  4G031GA01 ,  4G031GA04 ,  4G031GA11

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 圧電磁器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-367464   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 圧電磁器組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-351571   出願人：日本セラミック株式会社
• 圧電セラミック材料とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-161072   出願人：住友金属工業株式会社
• 半導体磁器組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-071444   出願人：株式会社NEOMAX
• 圧電セラミックス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-085847   出願人：ティーディーケイ株式会社