特許
J-GLOBAL ID：201303051575643479

半導体装置の製造方法

発明者：
村上 貴宣

村上 貴宣 について


出願人/特許権者：
旭化成エレクトロニクス株式会社

旭化成エレクトロニクス株式会社 について


代理人 (3件)： 森 哲也 ,  小西 恵 ,  田中 秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-000397
公開番号（公開出願番号）：特開2013-140871
出願日： 2012年01月05日
公開日（公表日）： 2013年07月18日
要約：
【課題】ヒューズ素子上のシリコン酸化膜について、その残膜厚の制御性を向上できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1上に層間絶縁膜3を介してヒューズ素子10を形成する工程と、ヒューズ素子10を覆うように層間絶縁膜3上にシリコン酸化膜20を形成する工程と、シリコン酸化膜20上にシリコン窒化膜30を形成する工程と、シリコン窒化膜30のみを部分的にエッチングして除去することにより、ヒューズ素子10の上方にシリコン酸化膜20を底面とするレーザートリミング用の開口部35を形成する工程と、を含む。開口部35を形成するためのエッチング処理は、エッチングガス又はエッチング液がシリコン酸化膜20の表面に到達した時点でその進行が抑制される。従って、シリコン酸化膜20の初期膜厚が、ほぼそのまま、開口部35底面のシリコン酸化膜20の残膜厚となる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を介してヒューズ素子を形成する工程と、 前記ヒューズ素子を覆うように前記絶縁膜上にシリコン酸化膜を形成する工程と、 前記シリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を形成する工程と、 前記シリコン窒化膜のみを部分的にエッチングして除去することにより、前記ヒューズ素子の上方に前記シリコン酸化膜を底面とするレーザートリミング用の開口部を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 21/82
FI (1件)：
H01L21/82 F
Fターム (9件)：
5F064BB14 ,  5F064BB15 ,  5F064FF02 ,  5F064FF05 ,  5F064FF06 ,  5F064FF27 ,  5F064FF32 ,  5F064FF42 ,  5F064GG03
引用特許：
審査官引用 (4件)
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