特許
J-GLOBAL ID:201303051764916583
半導体光機能素子、光モジュール、及びその制御方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人はるか国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-026306
公開番号(公開出願番号):特開2013-164459
出願日: 2012年02月09日
公開日(公表日): 2013年08月22日
要約:
【課題】電流源のオフセットの影響が抑制され、特性が向上される半導体光機能素子、光モジュール、及びその制御方法の提供。【解決手段】注入される順方向電流に応じて負の屈折率変化が生じる屈折率変化部を有する半導体光機能素子の制御方法であって、前記屈折率変化部に、前記順方向電流を供給する電流源を接続して、第1の閉回路を形成し、前記屈折率変化部に、制御抵抗と電圧源とを直列に接続して、第2の閉回路を形成し、前記電圧源は、前記順方向電流の方向とは逆方向の電圧又は0Vの電圧を供給し、前記電流源が供給する電流を制御して、前記屈折率変化部の屈折率を制御し、前記制御抵抗は、前記屈折率変化部の内部抵抗より大きい、ことを特徴とする。【選択図】図1B
請求項(抜粋):
注入される順方向電流に応じて負の屈折率変化が生じる屈折率変化部に、前記順方向電流を供給する電流源を接続して、第1の閉回路を形成し、
前記屈折率変化部に、制御抵抗と電圧源とを直列に接続して、第2の閉回路を形成し、
前記電圧源は、前記順方向電流の方向とは逆方向の電圧又は0Vの電圧を供給し、
前記電流源が供給する電流を制御して、前記屈折率変化部の屈折率を制御し、
前記制御抵抗は、前記屈折率変化部の内部抵抗より大きい、
ことを特徴とする、前記屈折率変化部を有する半導体光機能素子の制御方法。
IPC (2件):
FI (2件):
G02F1/015 502
, H01S5/125
Fターム (14件):
2H079AA02
, 2H079AA12
, 2H079BA03
, 2H079CA05
, 2H079CA07
, 2H079DA16
, 2H079EA07
, 2H079EB02
, 2H079EB04
, 2H079FA03
, 2H079KA18
, 5F173AB03
, 5F173AH14
, 5F173AR06
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