特許
J-GLOBAL ID：201303052074872008
炭化珪素基板およびその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-205513
公開番号（公開出願番号）：特開2013-067523
出願日： 2011年09月21日
公開日（公表日）： 2013年04月18日
要約：
【課題】優れた特性のデバイスを安定して製造することが可能な炭化珪素基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素基板80は、炭化珪素の単結晶からなり、幅が100mm以上、マイクロパイプ密度が7cm-2以下、貫通螺旋転位密度が1×104cm-2以下、貫通刃状転位密度が1×104cm-2以下、基底面転位密度が1×104cm-2以下、積層欠陥密度が0.1cm-1以下、導電性不純物濃度が1×1018cm-2以上、残留不純物濃度が1×1016cm-2以下、Secondary Phase Inclusionsが1個・cm-3以下である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素の単結晶からなり、
幅が100mm以上、マイクロパイプ密度が7cm-2以下、貫通螺旋転位密度が1×104cm-2以下、貫通刃状転位密度が1×104cm-2以下、基底面転位密度が1×104cm-2以下、積層欠陥密度が0.1cm-1以下、導電性不純物濃度が1×1018cm-2以上、残留不純物濃度が1×1016cm-2以下、Secondary Phase Inclusionsが1個・cm-3以下である、炭化珪素基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (24件)：
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077DA18
, 4G077EC02
, 4G077ED01
, 4G077ED02
, 4G077ED04
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EG01
, 4G077EG03
, 4G077EG11
, 4G077EJ05
, 4G077GA02
, 4G077GA06
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077SA01
, 4G077SA04
, 4G077SA07
, 4G077SA11
, 4G077SA12
