特許
J-GLOBAL ID:201303053191333122
硫化物系固体電解質の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人竹内・市澤国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-080845
公開番号(公開出願番号):特開2013-211171
出願日: 2012年03月30日
公開日(公表日): 2013年10月10日
要約:
【課題】S欠損を補填することができ、従来の固体電解質に比べて導電率を高めることができる、新たな硫化物系固体電解質の製造方法を提供する。【解決手段】硫化リチウム(LiS2)と、硫化リン(P2S3又はP2S5)、硫化ケイ素(SiS2) 硫化ゲルマニウム(GeS2)、硫化ホウ素(B2S3)、硫化ガリウム(Ga2S3)、硫化すず(SnS又はSnS2)、硫化アンチモン(Sb2S3又はSb2S5)及び硫化アルミニウム(Al2S3)からなる群から選択される1種又は2種以上からなる硫化物粉末とを混合し、硫化水素ガス雰囲気で焼成することを特徴とする硫化物系固体電解質の製造方法を提案する。【選択図】なし
請求項(抜粋):
硫化リチウム(LiS2)粉末と、硫化リン(P2S3又はP2S5)、硫化ケイ素(SiS2)、硫化ゲルマニウム(GeS2)、硫化ホウ素(B2S3)、硫化ガリウム(Ga2S3)、硫化すず(SnS又はSnS2)、硫化アンチモン(Sb2S3又はSb2S5)及び硫化アルミニウム(Al2S3)からなる群から選択される1種又は2種以上からなる硫化物粉末とを混合し、硫化水素ガス雰囲気で焼成することを特徴とする硫化物系固体電解質の製造方法。
IPC (8件):
H01M 10/056
, C01B 33/00
, C01F 7/68
, C01D 15/00
, H01M 10/052
, H01M 6/18
, H01B 1/06
, H01B 13/00
FI (8件):
H01M10/00 107
, C01B33/00
, C01F7/68
, C01D15/00
, H01M10/00 103
, H01M6/18 A
, H01B1/06 A
, H01B13/00 Z
Fターム (44件):
4G072AA50
, 4G072BB05
, 4G072GG02
, 4G072GG03
, 4G072HH33
, 4G072JJ30
, 4G072JJ34
, 4G072LL05
, 4G072MM01
, 4G072MM02
, 4G072MM36
, 4G072RR13
, 4G072UU30
, 4G076AA03
, 4G076AA18
, 4G076AB03
, 4G076BA40
, 4G076BD02
, 4G076CA02
, 4G076CA29
, 4G076DA30
, 5G301CA05
, 5G301CA12
, 5G301CA16
, 5G301CA19
, 5G301CA22
, 5G301CA23
, 5G301CD01
, 5G301CE02
, 5H024BB01
, 5H024BB07
, 5H024BB18
, 5H024FF23
, 5H024HH01
, 5H024HH11
, 5H029AJ06
, 5H029AJ14
, 5H029AM12
, 5H029CJ02
, 5H029CJ08
, 5H029CJ28
, 5H029HJ01
, 5H029HJ02
, 5H029HJ14
引用特許:
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