特許

J-GLOBAL ID：201303053492502582

MOSゲート電力装置

発明者： フェルッチオ フリシナ
出願人/特許権者： エスティーマイクロエレクトロニクス エス.アール.エル.
代理人 (2件)： 杉村 憲司 ,  杉村 興作
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-349998
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183348
特許番号：特許第4861544号
出願日： 1999年12月09日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 複数の素子機能ユニットを具え、これら素子機能ユニットが第2導電型の半導体材料層(2,21,22,23)中に形成した第1導電型の本体領域(3)を具えるMOSゲート電力装置において、 前記半導体材料層(2,21,22,23)中に前記第1導電型の複数の不純物添加領域(20,201,202)が形成され、これら不純物添加領域(20,201,202)が前記本体領域(3)の各々の下側にそれぞれ配置されると共に、隣接する前記不純物添加領域から前記半導体材料層(2,21,22,23)により分離され、 前記半導体材料層(2,21,22,23)が第1の抵抗値を有し、前記不純物添加領域が(20,201,202)が前記第1の抵抗値よりも大きい第2の抵抗値を有することを特徴とするMOSゲート電力装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 29/78 652 D ,  H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/78 658 A ,  H01L 29/06 301 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-014048   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭62-200766
  
• 特開昭62-200766