特許
J-GLOBAL ID：201303053527643397
半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-068868
公開番号（公開出願番号）：特開2013-200726
出願日： 2012年03月26日
公開日（公表日）： 2013年10月03日
要約：
【課題】長時間の連続的なコンパクション動作をなくすことで、ライトコマンドに対する大きな応答の遅れを防ぐ。【解決手段】ライト制御部による書き込み処理と整理部によるデータ整理は所定の比率をもって交互に実行される。整理部は、所定の比率に対応するデータ整理の最中に、無効である有効無効判定の結果が所定の設定回数連続した場合、今回の有効無効判定処理を終了させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ブロック単位で消去が行われる不揮発性半導体メモリと、
ホスト装置からのデータを前記不揮発性半導体メモリのブロックに書き込むライト制御部と、前記不揮発性半導体メモリの整理対象ブロックに記憶された各データが有効か無効かを判定し、有効と判定されたデータを順次選択して新たなブロックへ書き直すデータ整理を行う整理部とを有し、前記ライト制御部による書き込み処理と前記整理部による新たなブロックへ書き直しを所定の比率をもって交互に実行するコントローラと、
を備え、
前記整理部は、前記所定の比率に対応する前記データ整理の最中に、無効である有効無効判定の結果が所定の設定回数連続した場合、今回の有効無効判定処理を終了させる
ことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
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