特許
J-GLOBAL ID:201303053567701624

フォトマスクとその製造方法、およびパターン露光方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-120600
公開番号(公開出願番号):特開2013-246340
出願日: 2012年05月28日
公開日(公表日): 2013年12月09日
要約:
【課題】開口部を通過する露光光に集光機能を与え、露光パターンの解像度を向上して露光対象基板に微細なパターンを形成することを可能にする構造で、容易に製造でき、実用的なパターン露光方法への適用が簡単なフォトマスクを提供すること。【解決手段】露光領域を与えるための開口パターンを取り巻く外側を遮光部とし、開口パターン内の外側に接する部分に完全透過部を設け、完全透過部の内側にあたる開口パターン中心部付近に位相シフト効果を有する位相シフト部を設ける。【選択図】図1
請求項(抜粋):
露光領域を与えるための開口パターンを取り巻く外側を遮光部とし、開口パターン内の外側に接する部分に完全透過部を設け、完全透過部の内側にあたる開口パターン中心部付近に位相シフト効果を有する位相シフト部を設けたことを特徴とするフォトマスク。
IPC (2件):
G03F 1/29 ,  G03F 1/32
FI (2件):
G03F1/29 ,  G03F1/32
Fターム (3件):
2H095BA03 ,  2H095BB03 ,  2H095BB15

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