特許
J-GLOBAL ID：201303053911110711

GaNLED用高速アニール

発明者：
ワン、ユン

ワン、ユン について

, 
ハウリーラック、エム、アンドリュー

ハウリーラック、エム、アンドリュー について


出願人/特許権者：
ウルトラテック インク

ウルトラテック インク について


代理人 (3件)： 北原 宏修 ,  多田 裕司 ,  山内 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-161560
公開番号（公開出願番号）：特開2013-038417
出願日： 2012年07月20日
公開日（公表日）： 2013年02月21日
要約：
【課題】出力の増大、起動電圧の低下、直列抵抗の低減を実現するGaN発光ダイオードの形成方法を提供する。【解決手段】GaN発光ダイオードの形成方法は、活性層60を挟むn型GaN層40とp型GaN層50とを有するGaN多層構造を形成する工程を備える。また、レーザーあるいはフラッシュランプを用いてp型GaN層50への高速アニールを実行する工程を備える。さらに、GaN多層構造上に透明導電層70を形成する工程と、透明導電層70にp型コンタクト90pを追加するとともにn型GaN層40にn型コンタクト90nを追加する工程とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
活性層を挟むn型GaN層とp型GaN層とを有するGaN多層構造を基板上に形成する工程と、 前記p型GaN層に対して高速アニールを実行する工程と、 前記GaN多層構造上に透明導電層を形成する工程と、 前記透明導電層にp型コンタクトを追加すると共に前記n型GaN層にn型コンタクトを追加する工程と を備える、GaN発光ダイオード(LED)の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 33/32 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/26
FI (3件)：
H01L33/00 186 ,  H01L21/268 F ,  H01L21/26 F
Fターム (10件)：
5F141AA24 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA12 ,  5F141CA40 ,  5F141CA57 ,  5F141CA65 ,  5F141CA73 ,  5F141CA88 ,  5F141CA98
引用特許：
審査官引用 (4件)
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