特許
J-GLOBAL ID：201303053939489414
半導体発光装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-103031
公開番号（公開出願番号）：特開2013-232478
出願日： 2012年04月27日
公開日（公表日）： 2013年11月14日
要約：
【課題】発光層の実効的な面積拡大を図れる半導体発光装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、第1の窒化物半導体層と窒化物半導体発光層と第2の窒化物半導体層とp側電極とn側電極とを備えている。第1の窒化物半導体層は、第1の面と第1の面の反対側に設けられp側領域とn側領域とを有する第2の面とを有する。窒化物半導体発光層は、p側領域上に設けられ、第1の窒化物半導体層側の第1の凹凸面と、第2の窒化物半導体層側の第2の凹凸面とを有する。第2の窒化物半導体層は窒化物半導体発光層上に設けられている。p側電極は第2の窒化物半導体層上に設けられている。n側電極はn側領域上に設けられている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の面と、前記第1の面の反対側に設けられp側領域とn側領域とを有する第2の面と、を有する第1の窒化物半導体層と、
前記第1の窒化物半導体層の前記第2の面の前記p側領域上に設けられた窒化物半導体発光層と、
前記窒化物半導体発光層上に設けられた第2の窒化物半導体層と、
前記第2の窒化物半導体層上に設けられたp側電極と、
前記第1の窒化物半導体層の前記第2の面の前記n側領域上に設けられたn側電極と、
を備え、
前記窒化物半導体発光層は、前記第1の窒化物半導体層側の第1の凹凸面と、前記第2の窒化物半導体層側の第2の凹凸面とを有する半導体発光装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 174
, H01L33/00 186
5F141AA11
, 5F141AA12
, 5F141AA14
, 5F141AA47
, 5F141CA04
, 5F141CA05
, 5F141CA10
, 5F141CA12
, 5F141CA23
, 5F141CA40
, 5F141CA74
, 5F141CA76
, 5F141CA77
, 5F141CA85
, 5F141CA86
, 5F141CA87
, 5F141CA93
, 5F141CA98
, 5F141CB15
, 5F141CB36
