特許

J-GLOBAL ID：201303054035724932

半導体装置の製造方法

発明者： 上野 勉
出願人/特許権者： ナガセテクノエンジニアリング株式会社
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  清水 義憲 ,  三上 敬史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-111499
公開番号（公開出願番号）：特開2013-239573
出願日： 2012年05月15日
公開日（公表日）： 2013年11月28日
要約：

【課題】効率よく半導体チップを埋め込む層を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。提供する。【解決手段】この方法は、ギャップGにノズル2から排出した液体を供給し、ギャップGを充填する第一層131を形成する工程と、半導体チップ120及び第一層131の上にノズル2から排出した液体を供給し、半導体チップ120及び第一層131を覆う第二層を形成する第二供給工程と、を備える。ギャップGに液体を供給する工程では、ノズル2から排出した液体をレイリー分裂させず、半導体チップ120及び第一層131の上に液体を供給する工程では、ノズル2から排出した液体をレイリー分裂させる。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

基板及び前記基板の表面に配置された複数の半導体チップを有し、前記半導体チップ間にギャップが与えられた、ワークを用意する工程と、 前記ギャップにノズルから排出した液体を供給し、前記ギャップを充填する第一層を形成する第一供給工程と、 前記半導体チップ及び前記第一層の上にノズルから排出した液体を供給し、前記半導体チップ及び前記第一層を覆う第二層を形成する第二供給工程と、を備え、 前記第一供給工程では、前記ノズルから排出した液体をレイリー分裂させず、 前記第二供給工程では、前記ノズルから排出した液体をレイリー分裂させる、半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (2件)：

H01L23/12 501P ,  H01L23/30 B

Fターム (8件)：

4M109AA04 ,  4M109BA03 ,  4M109CA05 ,  4M109DB17 ,  4M109EA20 ,  4M109EC20 ,  4M109EE20 ,  4M109GA10