特許

J-GLOBAL ID：201303054063879607

半導体装置およびその製造方法、並びに表示装置および電子機器

発明者： 西山 優範
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人つばさ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-076758
公開番号（公開出願番号）：特開2013-207193
出願日： 2012年03月29日
公開日（公表日）： 2013年10月07日
要約：

【課題】酸化物半導体膜への水分の浸入を防ぎ、TFT特性を向上させた半導体装置およびその製造方法、並びに表示装置および電子機器を提供する。【解決手段】酸化物半導体膜を有するトランジスタと、前記酸化物半導体膜を覆うと共に樹脂材料を含む絶縁膜とを備え、前記絶縁膜は、前記樹脂材料よりも高い疎水性を有する表面改質層に覆われている半導体装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化物半導体膜を有するトランジスタと、 前記酸化物半導体膜を覆うと共に樹脂材料を含む絶縁膜とを備え、 前記絶縁膜は、前記樹脂材料よりも高い疎水性を有する表面改質層に覆われている 半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/50

FI (4件)：

H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627A ,  H05B33/14 A

Fターム (61件)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107CC23 ,  3K107EE04 ,  3K107FF09 ,  3K107FF14 ,  5F110AA14 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ16 ,  5F110HJ18 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN37 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ19