特許

J-GLOBAL ID：201303054316339124

適応ワード線起動回路による偶数/奇数交互配置ブロック復号化法を備える不揮発性メモリおよび方法

発明者： 加藤 洋介
出願人/特許権者： サンディスク テクノロジィース インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 井ノ口 壽
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-508255
公開番号（公開出願番号）：特表2013-527552
出願日： 2011年04月28日
公開日（公表日）： 2013年06月27日
要約：

不揮発性メモリアレイは複数の交互に配置された偶数および奇数ブロックに構成される。あるブロックが操作のために選択されると、空間効率の良い復号化回路および方式によって1セットのワード線電圧が1ブロックのワード線へ送達される。複数のブロックは、隣接する奇数および偶数ブロックの対からなる配列に構成される。第1の電圧バスは、全ての偶数ブロックが1セットのワード線電圧にアクセスすることを可能にする。第2の電圧バスは、全ての奇数ブロックが1セットのワード線電圧にアクセスすることを可能にする。隣接する偶数および奇数ブロックからなる各対につき、選択するデコーダが設けられる。ブロックの選択は、選択されたブロックを含む1対の隣接する偶数および奇数ブロックを選択することにより、かつ選択されたブロックのみ(すなわち、選択された対の中にある偶数または奇数ブロックのいずれか一方)に1セットのワード線電圧を供給することにより達成される。

請求項（抜粋）：

不揮発性メモリであって、 交互に配置された偶数および奇数ブロックを有する複数のブロックに構成されたメモリセルアレイであって、各ブロックはメモリセルの各ブロックにアクセスするための1ブロックのワード線を有するメモリセルアレイと、 全偶数ブロックが1セットのワード線電圧にアクセスするための第1の電圧バスと、 全奇数ブロックが1セットのワード線電圧にアクセスするための第2の電圧バスと、 複数のブロックの中の各1対の隣接する偶数および奇数ブロックのためのブロックデコーダと、 個別電圧を供給する電圧源と、 前記選択されたワード線ブロックが偶数である場合に電圧源を前記第1の電圧バスに切り替える第1の電圧スイッチと、 前記選択されたワード線ブロックが奇数である場合に電圧源を前記第2の電圧バスに切り替える第2の電圧スイッチと、を備え、 選択されたワード線ブロックが1セットのワード線電圧を受け取るときには、前記選択されたワード線ブロックを含む1対の隣接する偶数および奇数ブロックが復号化される各ブロックデコーダに応答し、前記選択された1対の隣接するブロックにある偶数のワード線ブロックに対する第1の電圧バスのバス転送をイネーブルし、かつ前記選択された1対の隣接するブロックにある奇数のワード線ブロックに対する第2の電圧バスのバス転送をイネーブルする不揮発性メモリ。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  G11C 16/04

FI (2件)：

G11C17/00 633A ,  G11C17/00 622E

Fターム (8件)：

5B125BA02 ,  5B125CA04 ,  5B125CA06 ,  5B125DE09 ,  5B125EA05 ,  5B125EC04 ,  5B125EC06 ,  5B125FA06