半導体発光素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-124345
公開番号（公開出願番号）：特開2012-169675
特許番号：特許第5114687号
出願日： 2012年05月31日
公開日（公表日）： 2012年09月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に発光層を含む半導体多層膜を積層してなる半導体発光素子の製造方法において、下記式(1)で定義される粒子の配列のずれD(%)が10%以下である単粒子膜からなるエッチングマスクを前記半導体発光素子の光取り出し面上の少なくとも一部に形成し、ドライエッチングすることにより、前記光取り出し面上の少なくとも一部に微細構造体を形成する半導体発光素子の製造方法。 D(%)=|B-A|×100/A・・・(1) (式(1)中、Aは前記粒子の平均粒径、Bは前記単粒子膜における前記粒子間の平均ピッチを示す。)

IPC (2件)：

H01L 33/22 ( 201 0.01) , H01L 21/3065 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 33/00 172 , H01L 21/302 105 A

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