半導体電力変換装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：高橋省吾 , 稲葉忠彦 , 村上加奈子 , 中鶴一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-178751
公開番号（公開出願番号）：特開2013-042611
出願日： 2011年08月18日
公開日（公表日）： 2013年02月28日
要約：

【課題】半導体電力変換装置内で使用されている素子の温度上昇を均一化することにより、半導体電力変換装置内の素子が発熱により破壊されることを防ぐ、半導体電力変換装置の熱破壊保護装置を提供する。【解決手段】半導体電力変換装置において、該半導体電力変換装置に使用されている素子毎に、各素子の許容温度からの温度余裕度を算出し、前記温度余裕度が低い素子の導通率を下げるように半導体電力変換装置を制御し、半導体電力変換装置内で使用されている素子の温度上昇を均一化する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

指令に従ってオンまたはオフ動作する半導体スイッチング素子、および前記半導体スイッチング素子に逆並列に接続され規定の方向に電流が流れるように制限する半導体素子を有し、前記半導体スイッチング素子のオン、オフ動作により外部からの入力電圧をPWM制御し、外部へ電流を出力する電力変換部と、前記各素子が正常に動作するための温度許容値である許容温度を記憶する素子許容温度記憶手段、前記各素子の温度を検出する素子温度検出手段、前記素子許容温度記憶手段に記憶された各素子の許容温度と前記素子温度検出手段により検出された各素子の温度との差分を演算する温度余裕度演算手段、および、前記各素子のうち前記温度余裕度演算手段で演算された前記差分が他の素子に比べて低い素子の導通率を下げるように前記半導体スイッチング素子に指令する電圧指令手段、を有する温度制御部と、を備える半導体電力変換装置。

IPC (1件)：

H02M 7/48

FI (1件)：

H02M7/48 M

Fターム (12件)：

5H007AA17 , 5H007BB06 , 5H007CA01 , 5H007CB02 , 5H007CB05 , 5H007CC23 , 5H007DA05 , 5H007DB01 , 5H007DC08 , 5H007EA02 , 5H007FA13 , 5H007FA18

引用特許：

出願人引用 (6件)

スイッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-100358 出願人：トヨタ自動車株式会社
モータ制御装置、及びモータ制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-116994 出願人：富士通テン株式会社
電源装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-019381 出願人：東芝ライテック株式会社

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審査官引用 (6件)

スイッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-100358 出願人：トヨタ自動車株式会社
モータ制御装置、及びモータ制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-116994 出願人：富士通テン株式会社
電源装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-019381 出願人：東芝ライテック株式会社

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