容量式入射センサ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊東忠重 , 伊東忠彦 , 大貫進介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-195705
公開番号（公開出願番号）：特開2013-058753
出願日： 2012年09月06日
公開日（公表日）： 2013年03月28日
要約：

【課題】放射線を測定するための容量センサデバイスを提供する。【解決手段】デバイスは2つのセンサ領域および上部プレート構造を含む。センサ領域は、放射線がその材料に当たると電子-正孔対を生成する材料から成る。2つのセンサ領域の間に分離領域が配置される。センサ領域と上部プレートとの間のキャパシタンスはセンサ領域に当たる放射線に応じて決まる。遮断構造が、放射線の選択された入射角において他方のセンサ領域内の電子-正孔対生成に対してとは異なるように一方のセンサ領域の電子-正孔対生成に影響を与えるように、或る範囲内のパラメータ値を有する放射線をセンサ領域から選択的にかつ異なって遮断する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

容量センサデバイスであって、第1のセンサ領域および第2のセンサ領域を含む基板であって、前記第1のセンサ領域および前記第2のセンサ領域は、放射線パラメータ値の範囲内のパラメータ値を有する放射線が当たるときの電子-正孔対生成に対して導電性の材料から成る、基板と、前記基板内の、前記第1のセンサ領域と前記第2のセンサ領域との間に位置する分離領域であって、該分離領域は、前記第1のセンサ領域と前記第2のセンサ領域との間のキャリアの流れを阻止する、分離領域と、前記基板の上に位置する上部プレート構造であって、該上部プレート構造は、前記範囲内のパラメータ値を有する放射線に対して不透過性である遮断構造を含み、該上部プレート構造は、導電性構造、ならびに該導電性構造および前記基板の間に位置する誘電体層を含み、該上部プレート構造は、前記第1のセンサ領域の第1の部分、および前記第2のセンサ領域の第1の部分の上に位置する、上部プレート構造とを備え、前記遮断構造は、前記放射線の選択された入射角において前記第2のセンサ領域内の電子-正孔対生成に対してとは異なるように前記第1のセンサ領域の電子-正孔対生成に影響を与えるために、前記第1のセンサ領域および前記第2のセンサ領域から前記範囲内のパラメータ値を有する放射線を選択的にかつ異なって遮断するように、前記第1のセンサ領域および前記第2のセンサ領域に対して位置付けられる、容量センサデバイス。

IPC (3件)：

H01L 31/00 , H01L 31/09 , G01T 1/24

FI (3件)：

H01L31/00 B , H01L31/00 A , G01T1/24

Fターム (12件)：

2G088GG21 , 2G088KK29 , 5F088AA20 , 5F088AB03 , 5F088CB10 , 5F088CB11 , 5F088CB14 , 5F088EA02 , 5F088FA01 , 5F088LA01 , 5F088LA05 , 5F088LA08

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