特許
J-GLOBAL ID：201303056000805975
干渉変調器ディスプレイの調整方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
村山 靖彦
, 志賀 正武
, 渡邊 隆
, 実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-182869
公開番号（公開出願番号）：特開2013-250580
出願日： 2013年09月04日
公開日（公表日）： 2013年12月12日
要約：
【課題】干渉変調ディスプレイの駆動を調整する方法が開示される。【解決手段】一実施形態において、前記方法は、干渉変調表示素子に少なくとも1つの電圧を印加するステップと、前記電圧を印加している間に、干渉変調器のリリースおよび作動応答時間を調整するステップとを含む。他の実施形態では、前記デバイスに印加されるバイアス電圧を調整することによって、リリースおよび作動応答時間が調整される。バイアス電圧を調整する方法は、前記デバイスの電流応答を測定することによって、決定できる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
MEMS干渉変調器の状態を変更せずにMEMS干渉変調ディスプレイを駆動するための電圧を調整する方法であって、
前記1つ以上のMEMS干渉変調表示素子にバイアス電圧を印加するステップであって、前記バイアス電圧は、作動状態およびリリース状態の1つ以上にある前記1つ以上のMEMS干渉変調表示素子を維持する電圧であるステップと、
前記1つ以上のMEMS干渉変調表示素子の作動電圧およびリリース電圧に対するバイアス電圧の値の光学的、機械的または電気的パラメータの特性のうちの1つ以上を決定するステップであって、前記決定では、前記1つ以上のMEMS干渉変調表示素子の状態を変更させないステップと、
1つ以上の前記パラメータを1つ以上の基準パラメータと比較するステップと、
前記比較に基づいて前記バイアス電圧を調整するステップと
を含む方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (20件)：
2H141MA03
, 2H141MB28
, 2H141MB63
, 2H141MC06
, 2H141MD02
, 2H141MD38
, 2H141MG03
, 3C081AA13
, 3C081BA28
, 3C081BA33
, 3C081BA44
, 3C081BA48
, 3C081BA53
, 3C081BA72
, 3C081BA76
, 3C081CA03
, 3C081CA13
, 3C081CA26
, 3C081EA08
, 3C081EA12
