特許

J-GLOBAL ID：201303056036497975

スイッチ回路及びパック電池

発明者： 木内 隆暁
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-184564
公開番号（公開出願番号）：特開2013-165631
出願日： 2012年08月23日
公開日（公表日）： 2013年08月22日
要約：

【課題】スイッチング素子の制御端子が他の端子と短絡するような障害に対しても、スイッチング素子を過熱から保護することが可能なスイッチ回路及びパック電池を提供する。【解決手段】過熱したときの安全性が確保されるべきFET30と熱的に密結合されたPTC素子37及び抵抗器38の接続点の電圧をFET33のゲートに印加し、FET33のドレインの電圧を抵抗器32を介してFET31のゲートに与える。FET30のゲート・ドレイン間の短絡故障によりオン抵抗が増加し、ジュール熱が増大してFET30の温度が上昇した場合、PTC素子37及び抵抗器38の接続点の電圧、即ちFET33のゲートの電圧が大きく低下してFET33がオンし、更にFET33のドレインの電圧がFET31のゲートの電圧を上昇させることにより、FET31がオンする。これにより、FET30のドレイン電流がFET30のゲートを介してFET31に分流する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

制御端子に印加される電圧によってオン/オフする第1スイッチング素子を備えるスイッチ回路において、 前記第1スイッチング素子の一の端子及び制御端子間に並列的に接続された第2スイッチング素子と、 前記第1スイッチング素子と熱的に結合されており、温度に応じて抵抗が変化する感熱素子と、 該感熱素子と直列に接続された抵抗回路と、 前記感熱素子及び抵抗回路の接続点の電圧信号を前記第2スイッチング素子の制御端子に伝播させる伝播回路とを備え、 前記第1スイッチング素子が制御端子及び他の端子間の短絡故障によるオン抵抗の増加に伴って温度上昇した場合、前記伝播回路を伝播した電圧信号によって前記第2スイッチング素子がオンして前記第1スイッチング素子の一の端子及び他の端子間の電流を分流するようにしてあること を特徴とするスイッチ回路。

IPC (8件)：

H02H 3/08 ,  H02H 5/04 ,  H02H 7/18 ,  H02H 7/00 ,  H01M 2/10 ,  H01M 10/42 ,  H01M 10/44 ,  H01M 10/48

FI (9件)：

H02H3/08 T ,  H02H5/04 E ,  H02H7/18 ,  H02H7/00 B ,  H01M2/10 E ,  H01M10/42 P ,  H01M10/44 P ,  H01M10/48 P ,  H01M10/48 301

Fターム (26件)：

5G004AA04 ,  5G004AB02 ,  5G004BA03 ,  5G004DC12 ,  5G053AA01 ,  5G053AA02 ,  5G053AA14 ,  5G053BA06 ,  5G053CA04 ,  5G053DA01 ,  5G053EC03 ,  5G053FA04 ,  5H030AA03 ,  5H030AA04 ,  5H030AS06 ,  5H030AS12 ,  5H030BB00 ,  5H030FF24 ,  5H030FF43 ,  5H030FF44 ,  5H040AA40 ,  5H040AS19 ,  5H040AY04 ,  5H040AY08 ,  5H040DD08 ,  5H040DD26