特許

J-GLOBAL ID：201303056749791040

太陽電池製造方法

発明者： 江▲崎▼ 祐子 ,  橋本 敬宏
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-121056
公開番号（公開出願番号）：特開2013-247286
出願日： 2012年05月28日
公開日（公表日）： 2013年12月09日
要約：

【課題】低コスト化を実現するとともに、性能の良い太陽電池を製造する方法を提供する。【解決手段】拡散不純物を含まない第1溶液をシリコン基板4の第1表面にスピンコートし、拡散不純物を含む第2溶液をシリコン基板の第1溶液がスピンコートされた第1表面にスピンコートし、シリコン基板4の第1表面にスピンコートされた第2溶液に含まれる拡散不純物を拡散させることにより、シリコン基板の第1表面に不純物拡散領域10を形成する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

太陽電池の製造方法であって、 前記方法は、 拡散不純物を含まない第1溶液をシリコン基板の第1表面にスピンコートする工程と、 拡散不純物を含む第2溶液を前記シリコン基板の前記第1溶液がスピンコートされた前記第1表面にスピンコートする工程と、 前記シリコン基板の前記第1表面にスピンコートされた前記第2溶液に含まれる拡散不純物を拡散させることにより、前記シリコン基板の前記第1表面に不純物拡散領域を形成する工程と を含む、太陽電池の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 A

Fターム (4件)：

5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151CB20 ,  5F151DA10