特許
J-GLOBAL ID：201303056821464980
可変インダクタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山川 政樹
, 山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-266527
公開番号（公開出願番号）：特開2013-120761
出願日： 2011年12月06日
公開日（公表日）： 2013年06月17日
要約：
【課題】低消費電力で発熱が少なく信頼性の高い小型の透磁率可変素子を用いた、インダクタンス変化範囲が広く、損失が少ない可変インダクタを提供する。【解決手段】可変インダクタは、平面コイル32と、平面コイル32の上面、下面、側面のうち少なくとも1箇所に絶縁膜35,37を介して配置された透磁率可変素子とを備える。透磁率可変素子は、マトリックス中に多数の磁性ナノ粒子を分散させた磁性ナノコンポジット膜38と、磁性ナノコンポジット膜38の上面または下面の少なくとも一方の面に形成された絶縁膜39と、磁性ナノコンポジット膜38と接する面と反対側の絶縁膜39の面に形成された電極膜40とを備える。透磁率可変素子は、電極膜40への電圧印加により磁性ナノコンポジット膜38の磁気特性を変化させる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
平面コイルと、
この平面コイルの上面、下面、側面のうち少なくとも1箇所に絶縁膜を介して配置された透磁率可変素子とを備え、
前記透磁率可変素子は、
マトリックス中に多数の磁性ナノ粒子を分散させた磁性ナノコンポジット膜と、
この磁性ナノコンポジット膜の上面または下面の少なくとも一方の面に形成された絶縁膜と、
前記磁性ナノコンポジット膜と接する面と反対側の絶縁膜の面に形成された電極膜とを備え、
前記透磁率可変素子の電極膜への電圧印加により前記透磁率可変素子の磁性ナノコンポジット膜の磁気特性を変化させ、前記平面コイルのインダクタンスを変化させることを特徴とする可変インダクタ。
IPC (3件)：
H01F 21/08
, H01L 21/822
, H01L 27/04
5E070BB01
, 5E070BB10
, 5E070CB12
, 5E070MM10
, 5F038AZ04
, 5F038CA16
, 5F038EZ11
, 5F038EZ20
