特許
J-GLOBAL ID:201303056821471315
ガラス材の回収方法。
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
粕川 敏夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-070522
公開番号(公開出願番号):特開2013-202421
出願日: 2012年03月27日
公開日(公表日): 2013年10月07日
要約:
【課題】ガラス基板上に金属電極層と半導体素子が製膜された薄膜太陽電池デバイスから、低コスト且つ容易にガラス基板を構成するガラス材を回収すると共に、回収したガラス材に含まれる不純物の含有率を小さくする。【解決手段】ガラス基板上に順次、金属電極層及び半導体素子が製膜された太陽電池デバイスからガラス材を回収する方法であって、太陽電池デバイスから半導体素子を分離する工程(S1)、金属電極層が製膜されたガラス基板をガラス粒に粉砕する工程(S2)、ガラス粒を液体中で撹拌し、金属電極層の付着率の高い第一のガラス粒及び/又はガラス基板から剥離した金属電極層箔を上層に浮遊させると共に、金属電極層の付着率が相対的に低い第二のガラス粒を下層に沈殿させて、ガラス粒を分別する工程(S3)、及び再利用可能なガラス材として第二のガラス粒を抽出する工程(S4)、を有するガラス材の回収方法を提供する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
ガラス基板上に順次、金属電極層及び半導体素子が製膜された太陽電池デバイスから、再利用可能なガラス材を回収する方法であって、
上記太陽電池デバイスから上記半導体素子を分離する分離工程と、
上記金属電極層が製膜されたガラス基板を粒状のガラス粒に粉砕する粉砕工程と、
上記ガラス粒を液体中で撹拌し、上記金属電極層の付着率の高い第一のガラス粒及び/又は上記ガラス基板から剥離した金属電極層箔を上層に浮遊させると共に、上記金属電極層の付着率が相対的に低い第二のガラス粒を下層に沈殿させて、上記ガラス粒を分別する撹拌工程と、
上記再利用可能なガラス材として、上記下層に沈殿した第二のガラス粒を抽出する抽出工程と、を有する、
ことを特徴とするガラス材の回収方法。
IPC (4件):
B09B 5/00
, B09B 3/00
, B03B 5/28
, B03B 9/06
FI (4件):
B09B5/00 Z
, B09B3/00 Z
, B03B5/28 Z
, B03B9/06
Fターム (25件):
4D004AA18
, 4D004AA23
, 4D004AC04
, 4D004BA10
, 4D004CA02
, 4D004CA04
, 4D004CA10
, 4D004CA13
, 4D004CA15
, 4D004CA22
, 4D004CA42
, 4D004CA50
, 4D004CB09
, 4D004CC03
, 4D004DA03
, 4D004DA20
, 4D071AA42
, 4D071AB13
, 4D071AB14
, 4D071AB23
, 4D071AB42
, 4D071AB55
, 4D071AB63
, 4D071CA05
, 4D071DA15
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