特許

J-GLOBAL ID：201303057265217320

シクロヘキサシランを利用した薄膜およびこの製造方法

発明者： トーレス,ロバート,ジュニア ,  フランシス,テリー,アーサー ,  羽坂 智 ,  ブラバント,ポール,デビッド
出願人/特許権者： マシスン トライ-ガス インコーポレイテッド
代理人 (2件)： ▲吉▼川 俊雄 ,  市川 寛奈
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-518371
公開番号（公開出願番号）：特表2013-537705
出願日： 2011年06月23日
公開日（公表日）： 2013年10月03日
要約：

化学気相蒸着法にシクロヘキサシランを使用して基板上にエピタキシャルシリコン含有膜を蒸着させる。このような方法は半導体製造に利用されることができ、非均一表面上の均一な蒸着、高い蒸着速度、そして高い生産性を含む、多様な長所を有する。これだけでなく、変形CVD条件下においてドデカメチルシクロヘキサシランまたはテトラメチルジシランのような炭素-含有ガスおよびシリコン原料としてシクロヘキサシランを利用して比較的高い流速で蒸着を実行することにより、結晶性SiをIN SITUドーピングすることができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

シクロヘキサシロキサンを含む処理ガスを基板を含むチャンバ内に導入するステップ; 前記チャンバ内のシクロヘキサシラン化学気相蒸着条件を確立するステップ; 前記シクロヘキサシランの分解を開始するステップ;および エピタキシャルSi-含有膜を前記基板上に蒸着させるステップ; を含んでなされる、薄膜の蒸着方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/42

FI (3件)：

H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C23C16/42

Fターム (42件)：

4K030AA05 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA09 ,  4K030BA29 ,  4K030BA36 ,  4K030BA48 ,  4K030BB02 ,  4K030BB14 ,  4K030DA08 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA20 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB01 ,  5F045AB02 ,  5F045AB05 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045CA05 ,  5F045DB09 ,  5F045EE03 ,  5F045EE12 ,  5F045EE13 ,  5F045EE14 ,  5F045EE15 ,  5F045EE17