特許

J-GLOBAL ID：201303057466511803

複合基板の形成方法

発明者： ガードナー ネイサン フレドリック ,  マクラウリン メルヴィン バーカー ,  グランドマン マイケル ジェイソン ,  ゴーツ ウェルネル ,  エプラー ジョン エドワード ,  イェ キ
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ
代理人 (3件)： 津軽 進 ,  笛田 秀仙 ,  浅村 敬一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-535566
公開番号（公開出願番号）：特表2013-542608
出願日： 2011年10月26日
公開日（公表日）： 2013年11月21日
要約：

本発明の実施形態に従った方法では、III族窒化物層が成長基板上に成長する。前記III族窒化物層は、ホスト基板に接続される。前記成長基板は、除去される。前記成長基板は、非III族窒化物材料である。前記成長基板は、面内格子定数asubstrateを持つ。前記III族窒化物層は、バルク格子定数alayerを持つ。ある実施形態では、[(|asubstrate-alayer|)/asubstrate]*100%は、わずか1%である。

請求項（抜粋）：

成長基板上にIII族窒化物層を成長させるステップと、 前記III族窒化物層をホスト基板に接続するステップと、 前記成長基板を除去するステップとを有し、 前記成長基板は、非III族窒化物材料であり、 前記成長基板は、面内格子定数asubstrateを持ち、 前記III族窒化物層は、バルク格子定数alayerを持ち、 [(|asubstrate-alayer|)/asubstrate]*100%が、わずか1%である、方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/32

FI (2件)：

H01L21/205 ,  H01L33/00 186

Fターム (23件)：

5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF07 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F141CA05 ,  5F141CA40 ,  5F141CA64 ,  5F141CA65 ,  5F141CA66 ,  5F141CA77