特許

J-GLOBAL ID：201303057714724541

研磨装置及び研磨方法

発明者： 足立 将芳 ,  重田 厚
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (3件)： 池上 徹真 ,  須藤 章 ,  松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-250733
公開番号（公開出願番号）：特開2013-103318
出願日： 2011年11月16日
公開日（公表日）： 2013年05月30日
要約：

【目的】、過研磨を防止することが可能な研磨装置を提供する。【構成】実施形態の研磨装置(100)は、ステージ(101)と研磨部(102,104)と検出部(110)とロック機構(120)とを備えた。ステージ(101)は、半導体基板を載置する。研磨部(102,104)は前記半導体基板の上方から前記半導体基板の周縁部を研磨する。検出部(110)は前記半導体基板の基準高さ位置を検出する。ロック機構(120)は、前記研磨部(102,104)が前記基準高さ位置から所定の距離だけ前記半導体基板面側へ移動した場合に、研磨部(102,104)の半導体基板面側への更なる移動が停止されるように、前記研磨部(102,104)の移動を拘束する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板を載置するステージと、 前記半導体基板の上方から前記半導体基板の周縁部を研磨する研磨部と、 前記半導体基板の基準高さ位置を検出する検出部と、 前記研磨部が前記基準高さ位置から所定の距離だけ前記半導体基板面側へ移動した場合に、研磨部の半導体基板面側への更なる移動が停止されるように、前記研磨部の移動を拘束するロック機構と、 を備えたことを特徴とする研磨装置。

IPC (3件)：

B24B 47/20 ,  B24B 49/10 ,  H01L 21/304

FI (3件)：

B24B47/20 ,  B24B49/10 ,  H01L21/304 621E

Fターム (13件)：

3C034AA13 ,  3C034AA17 ,  3C034CA12 ,  3C034CB01 ,  3C034DD01 ,  3C034DD10 ,  3C034DD13 ,  5F057AA12 ,  5F057BA15 ,  5F057BB03 ,  5F057CA21 ,  5F057DA06 ,  5F057DA08