特許
J-GLOBAL ID：201303057999734952
発光素子パッケージ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
岩瀬 吉和
, 小野 誠
, 金山 賢教
, 重森 一輝
, 市川 英彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-003969
公開番号（公開出願番号）：特開2013-145883
出願日： 2013年01月11日
公開日（公表日）： 2013年07月25日
要約：
【課題】外部の異物が流入することを容易に防止できる発光素子パッケージを提供する。【解決手段】発光素子10と発光素子10と電気的に接続された第1、2リードフレーム13、14を含み、第1、2リードフレーム13、14上にキャビティsが形成されたボディー20とキャビティs内で硬化され、ビニル基(-CH=CH2)を含む主材及び複数のSi-H基を含む副材を含み、ビニル基(-CH=CH2)と複数のSi-H基とが架橋(cross-linking)された樹脂物18とを含み、複数のSi-H基のうち、ビニル基(-CH=CH2)と未架橋のSi-H基に対するFT-IR信号の吸光度(absorbance)は、0.0002〜0.01(arb.unit)である発光素子パッケージ100とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光源部と、
前記光源部と電気的に接続された第1、2リードフレームを含み、前記第1、2リードフレーム上にキャビティが形成されたボディーと、
前記キャビティ内で硬化され、ビニル基(-CH=CH2)を含む主材及び複数のSi-H基を含む副材を含み、前記ビニル基(-CH=CH2)と前記複数のSi-H基とが架橋(cross-linking)された樹脂物と、を含み、
前記複数のSi-H基のうち、前記ビニル基(-CH=CH2)と未架橋のSi-H基に対するFT-IR信号の吸光度(absorbance)は、
0.0002〜0.01(arb.unit)である、発光素子パッケージ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
5F142AA63
, 5F142AA77
, 5F142BA24
, 5F142CA03
, 5F142CC04
, 5F142CC26
, 5F142CE02
, 5F142CE16
, 5F142CG05
, 5F142CG13
, 5F142CG43
, 5F142DA12
, 5F142GA12
, 5F142GA24
