特許

J-GLOBAL ID：201303058071519437

セラミック基体支持体

発明者： ローレンス チュン-ライ レイ ,  サル ウモトイ ,  シアオシオン ユアン ,  アンゾーン チャン ,  ホンビー テオー ,  アン エヌ ングイェン ,  ロン ローズ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (6件)： 中村 稔 ,  大塚 文昭 ,  熊倉 禎男 ,  西島 孝喜 ,  箱田 篤 ,  平野 誠
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-184912
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093894
特許番号：特許第5301065号
出願日： 2001年06月19日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 加工片を支持するための支持組立体であって、 第1の側及び外径を有する上側セラミック板と、 前記上側セラミック板の第1の側に接続されている第1の側、及び埋込まれた電極を有する下側板と、を備え、前記下側板は前記上側セラミック板の外径を超えて伸び、 前記上側セラミック板の第1の側と前記下側板の第1の側との間に複数のチャンネルが形成され、前記複数のチャンネルの各々は、前記上側セラミック板の外径の外側へ流体を流すため、前記流体が供給される中央基点をそれぞれの出口に結合し、 複数の前記出口は、前記上側セラミック板の前記第1の側の周縁の周りに異なる間隔で配置され、前記中央基点から最も近い前記出口と前記中央基点から最も遠い前記出口との間隔は、前記中央基点から最も遠い前記出口と別の前記中央基点から最も遠い前記出口との間隔より大きく、 前記中央基点と、前記中央基点から最も近い前記出口との間に配置された前記チャンネルの断面は、前記中央基点と、前記中央基点から最も遠い前記出口との間に配置された前記チャンネルの断面より大きい、ことを特徴とする支持組立体。

IPC (2件)：

H01L 21/683 ( 200 6.01) ,  C23C 16/458 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 21/68 P ,  C23C 16/458

引用特許：

審査官引用 (1件)

• CVD装置、マルチチャンバ方式CVD装置及びその基板処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-174896   出願人：日電アネルバ株式会社