パターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：高松猛 , 尾澤俊之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-196110
公開番号（公開出願番号）：特開2013-076991
出願日： 2012年09月06日
公開日（公表日）： 2013年04月25日
要約：

【課題】電子線あるいは極紫外線(EUV光)を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、高ラインウィズスラフネス(LWR)性能を極めて高次元で同時に満足するパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。【解決手段】(A)酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、(B)電子線又は極紫外線の照射により酸を発生する化合物と、(C)溶剤とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程(1)、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程(2)、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程(4)をこの順番で有するパターン形成方法であって、前記化合物(B)の含有率が、前記組成物の全固形分を基準として21〜70質量%である、パターン形成方法、これに供される感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、これを用いて形成されたレジスト膜。また、上記パターン形成方法を用いた、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、(B)電子線又は極紫外線の照射により酸を発生する化合物と、(C)溶剤とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程(1)、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程(2)、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程(4)をこの順番で有するパターン形成方法であって、前記化合物(B)の含有率が、前記組成物の全固形分を基準として21〜70質量%である、パターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/038 , G03F 7/039 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F7/038 601 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

Fターム (68件)：

2H125AF17P , 2H125AF18P , 2H125AF27P , 2H125AF36P , 2H125AF38P , 2H125AF39P , 2H125AF45P , 2H125AF70P , 2H125AH03 , 2H125AH04 , 2H125AH05 , 2H125AH07 , 2H125AH08 , 2H125AH11 , 2H125AH12 , 2H125AH13 , 2H125AH14 , 2H125AH15 , 2H125AH16 , 2H125AH17 , 2H125AH19 , 2H125AH22 , 2H125AH25 , 2H125AJ02Y , 2H125AJ04X , 2H125AJ12X , 2H125AJ13Y , 2H125AJ14X , 2H125AJ14Y , 2H125AJ18Y , 2H125AJ42Y , 2H125AJ43Y , 2H125AJ48X , 2H125AJ48Y , 2H125AJ52X , 2H125AJ65X , 2H125AJ65Y , 2H125AJ68Y , 2H125AJ69X , 2H125AJ70X , 2H125AJ70Y , 2H125AL03 , 2H125AL11 , 2H125AM66P , 2H125AM86P , 2H125AM99P , 2H125AN32P , 2H125AN38P , 2H125AN39P , 2H125AN42P , 2H125AN62P , 2H125AN63P , 2H125AN65P , 2H125AN67P , 2H125AN82P , 2H125AN86P , 2H125AN88P , 2H125BA01P , 2H125BA26P , 2H125BA32P , 2H125BA33P , 2H125CA12 , 2H125CB12 , 2H125CB16 , 2H125CC01 , 2H125CC03 , 2H125CC15 , 2H125FA05

引用特許：

出願人引用 (2件)

電子線又はEUV光を用いた有機溶剤系現像又は多重現像パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-033917 出願人：富士フイルム株式会社
感活性光線または感放射線性樹脂組成物を用いたパターン形成方法及びパターン
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-123542 出願人：富士フイルム株式会社

審査官引用 (2件)

電子線又はEUV光を用いた有機溶剤系現像又は多重現像パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-033917 出願人：富士フイルム株式会社
感活性光線または感放射線性樹脂組成物を用いたパターン形成方法及びパターン
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-123542 出願人：富士フイルム株式会社

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