特許

J-GLOBAL ID：201303058900028373

三塩化ガリウムガスの製造方法及び窒化物半導体結晶の製造方法

発明者： 纐纈 明伯 ,  熊谷 義直
出願人/特許権者： 国立大学法人東京農工大学
代理人 (3件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  福田 浩志
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2011060892
公開番号（公開出願番号）：WO2011-142402
出願日： 2011年05月11日
公開日（公表日）： 2011年11月17日
要約：

本発明では、金属ガリウムと塩素ガスとを反応させて一塩化ガリウムガスを生成する第1工程と、生成した一塩化ガリウムガスと塩素ガスとを反応させて三塩化ガリウムガスを生成する第2工程と、を有する三塩化ガリウムガスの製造方法が提供される。

請求項（抜粋）：

金属ガリウムと塩素ガスとを反応させて一塩化ガリウムガスを生成する第1工程と、 生成した一塩化ガリウムガスと塩素ガスとを反応させて三塩化ガリウムガスを生成する第2工程と、 を有する三塩化ガリウムガスの製造方法。

IPC (1件)：

C30B 29/38

FI (1件)：

C30B29/38 D

Fターム (15件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB11 ,  4G077DB21 ,  4G077EA06 ,  4G077EC09 ,  4G077EG22 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB04 ,  4G077TC07 ,  4G077TG03 ,  4G077TH01 ,  4G077TH13