特許

J-GLOBAL ID：201303059785441969

パッケージング後に生じる特性欠陥を救済する半導体装置

発明者： 金 正謙 ,  玄 錫勳 ,  崔 ▲ジョン▼煥 ,  張 星珍
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (2件)： 渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-008106
公開番号（公開出願番号）：特開2013-175264
出願日： 2013年01月21日
公開日（公表日）： 2013年09月05日
要約：

【課題】パッケージング後に生じる特性欠陥を救済するメモリ装置を提供する。【解決手段】複数のメモリセルを含むメモリセルアレイと、少なくとも一つ以上のアンチヒューズを備え、メモリセルアレイ内の欠陥セルアドレスをアンチヒューズに保存し、欠陥セルアドレスを外部に読み出すアンチヒューズ回路部と、を備えるメモリ装置。アンチヒューズ回路部は、メモリ装置のタイミングパラメータ規定、リフレッシュ規定、入出力トリガー電圧規定またはデータトレーニング規定についての特性欠陥コードをアンチヒューズに保存し、特性欠陥コードを外部に読み出す。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルを含むメモリセルアレイと、 少なくとも一つ以上のアンチヒューズを備え、前記メモリセルアレイ内の欠陥セルアドレスを前記アンチヒューズに保存し、前記欠陥セルアドレスを外部に読み出すアンチヒューズ回路部と、を備えることを特徴とするメモリ装置。

IPC (1件)：

G11C 29/00

FI (3件)：

G11C29/00 603J ,  G11C29/00 603K ,  G11C29/00 603L

Fターム (6件)：

5L106AA01 ,  5L106CC07 ,  5L106CC14 ,  5L106CC17 ,  5L106FF02 ,  5L106FF08