成膜方法及び成膜装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-093499
公開番号（公開出願番号）：特開2002-293516
特許番号：特許第5013353号
出願日： 2001年03月28日
公開日（公表日）： 2002年10月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】成膜室内にプラズマを生成し、成膜室内で窒素ガスを主に励起した後に水素ガス希釈のジボランガス及び有機系ガスを反応させ、基板に炭窒化ホウ素膜を成膜することを特徴とする成膜方法。

IPC (4件)：

C01B 21/064 ( 200 6.01) , C23C 16/38 ( 200 6.01) , H01L 21/31 ( 200 6.01) , C04B 35/52 ( 200 6.01)

FI (5件)：

C01B 21/064 D , C23C 16/38 , H01L 21/31 C , H01L 21/31 Z , C04B 35/52 301 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-079769
特開昭64-017867
特開昭63-083273

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