特許

J-GLOBAL ID：201303061152868151

磁気抵抗素子及びそれを備える磁気ランダムアクセスメモリ

発明者： 名 取 克 晃 ,  永 瀬 俊 彦 ,  北 川 英 二 ,  甲 斐 正
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 勝沼 宏仁 ,  佐藤 泰和 ,  川崎 康 ,  関根 毅 ,  赤岡 明 ,  大浦 裕美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-064376
公開番号（公開出願番号）：特開2013-197409
出願日： 2012年03月21日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：

【課題】本実施形態は、磁化自由層又は磁化固定層と界面層との間の磁化結合を阻害することなく、熱処理により磁化固定層及び磁化自由層に含まれる貴金属が界面層に拡散することを防止することができる磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】本実施形態の磁気抵抗素子は、下部電極と、その膜面に対して実質的に垂直な磁化容易軸を有する第1の磁性層と、第1の界面層と、MgOからなる絶縁層と、第2の界面層と、その膜面に対して実質的に垂直な磁化容易軸を有する第2の磁性層と、上部電極とを有する。この磁気抵抗素子は、第1の磁性層がPtを含む場合には、第1の磁性層と第1の界面層との間に拡散防止層を有し、第2の磁性層がPtを含む場合には、第2の磁性層と第2の界面層との間に拡散防止層を有し、この拡散防止層は、Hfからなり、且つ、0.6nm以上0.8nm以下の膜厚を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下部電極と、 前記下部電極上方に形成され、且つ、その膜面に対して実質的に垂直な磁化容易軸を有する第1の磁性層と、 前記第1の磁性層上方に形成された第1の界面層と、 前記第1の界面層上に形成され、且つ、MgOからなる絶縁層と、 前記絶縁層上に形成された第2の界面層と、 前記第2の界面層上方に形成され、且つ、その膜面に対して実質的に垂直な磁化容易軸を有する第2の磁性層と、 前記第2の磁性層上に形成された上部電極と、 を備える磁気抵抗素子であって、 前記第1の磁性層がPtを含む場合には、前記第1の磁性層と前記第1の界面層との間に拡散防止層を有し、 前記第2の磁性層がPtを含む場合には、前記第2の磁性層と前記第2の界面層との間に拡散防止層を有し、 前記拡散防止層は、Hfからなり、且つ、0.6nm以上0.8nm以下の膜厚を有する、 ことを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (5件)：

H01L 43/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

H01L43/10 ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z

Fターム (31件)：

4M119AA06 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD55 ,  4M119FF04 ,  4M119FF05 ,  4M119FF16 ,  4M119JJ03 ,  5F092AA06 ,  5F092AA08 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BB81 ,  5F092BB90 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BE27 ,  5F092CA02