特許

J-GLOBAL ID：201303061412713076

薄膜トランジスタ、その製造方法、及び表示装置

発明者： 江端 一晃 ,  笘井 重和 ,  霍間 勇輝 ,  松崎 滋夫 ,  矢野 公規
出願人/特許権者： 出光興産株式会社
代理人 (4件)： 渡辺 喜平 ,  田中 有子 ,  佐藤 猛 ,  森島 なるみ
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-011205
公開番号（公開出願番号）：特開2013-128128
特許番号：特許第5301043号
出願日： 2013年01月24日
公開日（公表日）： 2013年06月27日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 酸化物層と絶縁層からなる積層構造を含む薄膜トランジスタであって、 前記酸化物層を構成する材料が、酸化インジウム、Gaをドープした酸化インジウム、Alをドープした酸化インジウム、Znをドープした酸化インジウム、及びSnをドープした酸化インジウムからなる群から選ばれ、 前記酸化物層の結晶が、前記絶縁層の表面に柱状に配置しており、 前記酸化物層をチャネル層とし、前記絶縁層をゲート絶縁膜とすることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  H01L 21/363 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 620 ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 618 F ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/363

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを用いた表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-196038   出願人：キヤノン株式会社

審査官引用 (1件)

• 薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを用いた表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-196038   出願人：キヤノン株式会社