特許

J-GLOBAL ID：201303061533403902

半導体発光素子アレー、およびその製造方法

発明者： 比留間 健之 ,  原 真二郎 ,  本久 順一 ,  福井 孝志
出願人/特許権者： 国立大学法人北海道大学 ,  シャープ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人YKI国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-533729
特許番号：特許第5211352号
出願日： 2008年10月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体結晶基板、 前記半導体結晶基板の表面に配置された絶縁膜であって、 前記絶縁膜は2以上の領域に区分されており、かつ 前記2以上の領域のそれぞれには、前記基板の表面を露出させる2以上の開口部が形成されている絶縁膜、 前記基板の表面から前記開口部を通って上方に延伸する半導体ロッドであって、前記延伸方向にn型半導体層とp型半導体層が積層されており、p-n接合を有する半導体ロッド、ならびに 前記半導体結晶基板に接続された第一電極、および前記半導体ロッドの上部に接続された第二電極を含む半導体発光素子アレーであって、 前記半導体ロッドの前記基板表面からの高さは、前記2以上の領域毎に異なる、半導体発光素子アレー。

IPC (6件)：

H01L 33/08 ( 201 0.01) ,  H01L 21/203 ( 200 6.01) ,  F21V 8/00 ( 200 6.01) ,  B82Y 10/00 ( 201 1.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  F21Y 101/02 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01L 33/00 120 ,  H01L 21/203 M ,  F21V 8/00 200 ,  B82Y 10/00 ,  H01L 21/205 ,  F21Y 101:02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-311111   出願人：松下電工株式会社
• 化合物半導体素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-355521   出願人：松下電工株式会社