特許

J-GLOBAL ID：201303061725991913

不揮発性メモリ装置及びその製造方法

発明者： 林 泰 洙 ,  尹 基 ▲げん▼ ,  李 正 吉 ,  林 ▲げん▼ 錫 ,  韓 赫 ,  李 明 範
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 八田国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-035981
公開番号（公開出願番号）：特開2013-183158
出願日： 2013年02月26日
公開日（公表日）： 2013年09月12日
要約：

【課題】セルアレイ領域および周辺回路領域の全域において速い動作速度を実現できる不揮発性メモリ装置が提供される。【解決手段】本発明による不揮発性メモリ装置は、基板1と、前記基板1上に配置され、互いに離隔されるメモリゲートパターンMG1と非メモリゲートパターンNG1を含み、この時、非メモリゲートパターンNG1はオーミック層を含み、メモリゲートパターンMG1はオーミック層8を含まない。この装置で、メモリゲートパターンMG1はオーミック層を含まないが、非メモリゲートパターンNG1はオーミック層8を含む。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上のメモリゲートパターンと、 前記基板上の非メモリゲートパターンと、を含み、 前記非メモリゲートパターンは前記メモリゲートパターンと離隔され、 前記非メモリゲートパターンはオーミック層を含み、 前記メモリゲートパターンはオーミック層を含まない不揮発性メモリ装置。

IPC (6件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L27/10 434 ,  H01L27/10 481 ,  H01L29/78 371

Fターム (37件)：

5F083EP02 ,  5F083EP18 ,  5F083EP23 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP55 ,  5F083EP76 ,  5F083ER21 ,  5F083ER22 ,  5F083GA01 ,  5F083GA10 ,  5F083JA04 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA20 ,  5F083PR40 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083ZA01 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BA45 ,  5F101BB05 ,  5F101BB08 ,  5F101BD02 ,  5F101BD17 ,  5F101BD22 ,  5F101BD30 ,  5F101BD34 ,  5F101BE07 ,  5F101BH21