特許
J-GLOBAL ID：201303062682473006
発光装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-118926
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050633
特許番号：特許第4731715号
出願日： 2001年04月17日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 絶縁体の上に半導体膜を形成し、第1のフォトリソグラフィー工程によって前記半導体膜を島状の半導体膜にする第1工程と、
前記島状の半導体膜を覆うゲート絶縁膜を形成する第2工程と、
前記ゲート絶縁膜の上に第1の導電膜を形成し、前記第1の導電膜上に第2の導電膜を形成して、前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜が積層した導電膜を形成する第3工程と、
第2のフォトリソグラフィー工程によって、前記第2の導電膜上にレジストマスクを形成し、前記レジストマスクを用いて前記導電膜をエッチングして、
前記第1の導電膜からなる第1のゲート電極、及び、
前記第2の導電膜からなる第2のゲート電極を形成する第4工程と、
前記レジストマスク、前記第1のゲート電極および前記第2のゲート電極をドーピングマスクにして前記島状の半導体膜のうち、後にソース領域及びドレイン領域となる領域にn型不純物元素を添加する第5工程と、
前記レジストマスクを用いて、前記第1のゲート電極および前記第2のゲート電極をエッチングして線幅を細らせた後、前記第2のゲート電極の線幅を前記第1のゲート電極の線幅よりも細くするように選択的にエッチングしてゲート電極を形成し、前記レジストマスクを除去する第6工程と、
前記第6工程の後、前記第2のゲート電極のみをドーピングマスクにし、且つ、前記第1のゲート電極の、前記第2のゲート電極と重なっていない部分を貫通させて前記島状の半導体膜にn型不純物元素を添加して、
前記島状の半導体膜に、
チャネル形成領域、
前記ソース領域、
前記ドレイン領域、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域よりもn型不純物元素の濃度が低い2つの第1のn型不純物領域、及び、
前記第1のn型不純物領域よりもn型不純物元素の濃度が低い2つの第2のn型不純物領域を形成する第7工程と、
前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜を形成する第8工程と、
第3のフォトリソグラフィー工程によって、前記層間絶縁膜の上に、前記ソース領域及びドレイン領域に達するコンタクトホールを形成し、前記層間絶縁膜上に導電膜を形成し、第4のフォトリソグラフィー工程によって、前記導電膜をエッチングして、
ソース配線及びドレイン配線を形成する第9工程と、
前記層間絶縁膜の上に発光素子を形成する第10工程と、
前記発光素子の上にパッシベーション膜を形成する第11工程と、
を有し、
前記2つの第2のn型不純物領域はそれぞれ前記チャネル形成領域及び前記第1のn型不純物領域との間に接して設けられ、
前記2つの第1のn型不純物領域はそれぞれ前記第2のn型不純物領域及びソース領域との間並びに前記第2のn型不純物領域及びドレイン領域との間に接して設けられ、
前記第2のn型不純物領域は前記ゲート電極のうち、第1のゲート電極とのみ重なり、
前記第1のn型不純物領域は前記ゲート電極と重なっていないことを特徴とする発光装置の作製方法。
IPC (7件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, G09F 9/30 ( 200 6.01)
, H01L 27/32 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/3213 ( 200 6.01)
, H01L 51/50 ( 200 6.01)
H01L 29/78 616 A
, G09F 9/30 338
, G09F 9/30 365 Z
, H01L 21/28 301 R
, H01L 29/78 617 L
, H01L 29/78 617 K
, H01L 21/88 D
, H05B 33/14 A
