特許

J-GLOBAL ID：201303063116515520

半導体装置及び半導体装置の作製方法、並びに酸化膜の作製方法

発明者： 野田 耕生 ,  平石 鈴之介
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-038884
公開番号（公開出願番号）：特開2013-211544
出願日： 2013年02月28日
公開日（公表日）： 2013年10月10日
要約：

【課題】酸素欠損が低減された酸化物半導体膜を用いた半導体装置を提供する。また、良好な電気特性を有し、高性能な半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。また、酸素欠損が低減された酸化物半導体膜の作製方法を提供する。【解決手段】酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜に接して設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して、酸化物半導体膜と重畳して設けられたゲート電極と、を少なくとも有し、酸化物半導体膜は、電子スピン共鳴法によって計測されるg(g値)が1.93付近の信号のピークから算出されたスピン密度が9.3×1016spins/cm3未満であり、キャリア密度が1×1015/cm3未満の半導体装置である。当該酸化物半導体膜は、スパッタリング法を用いて形成する際に、基板側にバイアス電力を供給し、自己バイアス電圧を制御しながら形成した後、加熱処理を行うことで形成できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜に接して設けられたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重畳して設けられたゲート電極と、を少なくとも有し、 前記酸化物半導体膜は、電子スピン共鳴法によって計測されるg(g値)が1.93付近の信号のピークから算出されたスピン密度が9.3×1016spins/cm3未満であり、キャリア密度が1×1015/cm3未満であることを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 51/50 ,  G09F 9/30

FI (9件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 441 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 671Z ,  H05B33/14 A ,  G09F9/30 338

Fターム (138件)：

2H192AA24 ,  2H192CB02 ,  2H192CB05 ,  2H192CB37 ,  2H192CB53 ,  2H192EA61 ,  2H192EA74 ,  2H192FB02 ,  2H192HA13 ,  2H192HA22 ,  2H192HA88 ,  2H192HA90 ,  2H192HA91 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC31 ,  3K107EE03 ,  3K107GG00 ,  3K107HH05 ,  5C094AA25 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094DA13 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5F083AD02 ,  5F083AD21 ,  5F083AD69 ,  5F083BS02 ,  5F083BS10 ,  5F083BS14 ,  5F083BS22 ,  5F083BS27 ,  5F083EP02 ,  5F083EP21 ,  5F083ER21 ,  5F083GA11 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083JA60 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40 ,  5F101BA17 ,  5F101BB01 ,  5F101BD12 ,  5F101BD30 ,  5F101BD39 ,  5F101BE07 ,  5F101BH16 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110BB06 ,  5F110BB07 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC06 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD07 ,  5F110DD08 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD24 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE32 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF04 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK22 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP35

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 酸化物半導体膜および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-260854   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置、及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-246992   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-199019   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 成膜装置、連続成膜装置、及び成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-196959   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-196867   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所