特許

J-GLOBAL ID：201303063258813693

(Ga、Al、In、B)Nのレーザダイオードにおいて選択的エッチングを達成するための構造および方法

発明者： ファレル, ロバート エム. ,  ヘイガー, ダニエル エー. ,  スー, ポー シャン ,  ミシュラ, ウメシュ ケー. ,  デンバーズ, スティーブン ピー. ,  スペック, ジェームズ エス. ,  ナカムラ, シュウジ
出願人/特許権者： ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア
代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-525689
公開番号（公開出願番号）：特表2013-502724
出願日： 2010年08月19日
公開日（公表日）： 2013年01月24日
要約：

1つ以上のAl含有エッチング停止層を有する(Ga、Al、In、B)Nレーザダイオードを製造するステップを含む、(Ga、Al、In、B)Nレーザダイオードにおいて選択的エッチングを達成するために使用され得る構造および方法。エッチング停止層は、素子における1つ以上のエッチングされた層のエッチング深さを制御するために使用される層であり、エッチングされた層は、素子内にエッチング停止層と他の層との間に選択的にエッチングされた層を備える。エッチング停止層は、(Ga、Al、In、B)Nのn型ドープ、p型ドープ、または非ドープ合金から構成される層に隣接する。最後に、エッチング停止層は、電子遮断層としても機能するか、またはしなくてもよい。

請求項（抜粋）：

1つ以上のAl含有エッチング停止層を有する(Ga、Al、In、B)Nのレーザダイオードを備える、光電子素子。

IPC (3件)：

H01S 5/22 ,  H01S 5/323 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

H01S5/22 ,  H01S5/323 610 ,  H01L21/302 105A

Fターム (19件)：

5F004AA02 ,  5F004BA20 ,  5F004DA11 ,  5F004DB12 ,  5F004EA23 ,  5F173AA08 ,  5F173AA16 ,  5F173AG05 ,  5F173AG17 ,  5F173AH22 ,  5F173AP24 ,  5F173AP33 ,  5F173AP36 ,  5F173AP38 ,  5F173AQ06 ,  5F173AQ14 ,  5F173AQ15 ,  5F173AR92 ,  5F173AR93