半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：大岩増雄 , 竹中岑生 , 村上啓吾 , 吉澤憲治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-149054
公開番号（公開出願番号）：特開2013-016684
出願日： 2011年07月05日
公開日（公表日）： 2013年01月24日
要約：

【課題】半導体素子が繰り返し高温で動作してヒートサイクルを受ける場合も、封止樹脂に亀裂が生じたり、基板から剥離を起こしたりし難い信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】絶縁基板の片面に表面電極パターンが、および絶縁基板の他の面に裏面電極パターンが、それぞれ形成された半導体素子基板と、表面電極パターンの、絶縁基板とは反対側の面に接合材を介して接合された半導体素子と、この半導体素子および表面電極パターンを覆う第一の封止樹脂と、絶縁基板の表面で、少なくとも表面電極パターンまたは裏面電極パターンが形成されていない部分と第一の封止樹脂とを覆う第二の封止樹脂と、を備え、第二の封止樹脂の弾性率は、第一の封止樹脂の弾性率よりも小さいとともに、第一の封止樹脂の半導体素子に対応する中央部分が周辺部分よりも厚みが厚くなるように段差を設けた。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁基板の片面に表面電極パターンが、および上記絶縁基板の他の面に裏面電極パターンが、それぞれ形成された半導体素子基板と、上記表面電極パターンの、上記絶縁基板とは反対側の面に接合材を介して接合された半導体素子と、この半導体素子および上記表面電極パターンを覆う第一の封止樹脂と、上記絶縁基板の表面で少なくとも上記表面電極パターンまたは上記裏面電極パターンが形成されていない部分と、上記第一の封止樹脂とを覆う第二の封止樹脂と、を備え、上記第二の封止樹脂の弾性率は、上記第一の封止樹脂の弾性率よりも小さいとともに、上記第一の封止樹脂の上記半導体素子に対応する中央部分が周辺部分よりも厚みが厚くなるように段差を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/29 , H01L 23/31 , H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 23/28

FI (4件)：

H01L23/30 B , H01L25/04 C , H01L23/28 C , H01L23/28 L

Fターム (14件)：

4M109AA02 , 4M109BA03 , 4M109CA02 , 4M109CA06 , 4M109DA03 , 4M109DB07 , 4M109EA02 , 4M109EA07 , 4M109EA10 , 4M109EB12 , 4M109EB14 , 4M109EC04 , 4M109EC09 , 4M109EE02

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