特許

J-GLOBAL ID：201303064815834115

被処理基体をエッチングする方法、及びプラズマエッチング装置

発明者： 高場 裕之
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  柏岡 潤二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-106586
公開番号（公開出願番号）：特開2013-235912
出願日： 2012年05月08日
公開日（公表日）： 2013年11月21日
要約：

【課題】被処理基体に対するダメージを低減でき、且つ、エッチング量の制御性に優れたALE法に基づくエッチング方法、および、プラズマエッチング装置を提供する。【解決手段】被処理基体をエッチングする方法は、(a1)被処理基体を収容した処理容器内にエッチャントガスを供給する工程S1と、(b1)処理容器内を排気する工程S2と、(c1)処理容器内に希ガスを供給する工程S3と、(d1)処理容器内にマイクロ波を供給して処理容器内において希ガスのプラズマを励起する工程S4と、を含む。エッチャントガスを供給する工程、排気する工程、希ガスを供給する工程、及び希ガスのプラズマを励起する工程を含む一連の工程が繰り返されてもよい。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

被処理基体をエッチングする方法であって、 被処理基体を収容した処理容器内にエッチャントガスを供給する工程と、 前記処理容器内を排気する工程と、 前記処理容器内に希ガスを供給する工程と、 前記処理容器内にマイクロ波を供給して該処理容器内において前記希ガスのプラズマを励起する工程と、 を含む方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H01L21/302 101D ,  H05H1/46 B ,  H01L21/302 105A

Fターム (9件)：

5F004AA06 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004CA06 ,  5F004DA04 ,  5F004DB02 ,  5F004DB07