厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物、厚膜ホトレジスト積層体、厚膜ホトレジストパターンの製造方法及び接続端子の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：正林真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-276381
公開番号（公開出願番号）：特開2013-127517
出願日： 2011年12月16日
公開日（公表日）： 2013年06月27日
要約：

【課題】泡かみが抑えられ、良好な厚膜ホトレジストパターンを形成可能な厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物、そのような組成物を用いた厚膜ホトレジスト積層体、厚膜ホトレジストパターンの製造方法及び接続端子の製造方法を提供する。【解決手段】活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤(A)と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂(B)と、有機溶剤(S)とを含有する厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物において、前記有機溶剤(S)として、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと3-メトキシブチルアセテートとを60:40〜20:80の質量比で混合した混合溶剤を用いる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

支持体上に厚膜ホトレジスト層を形成するために用いられる厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物であって、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤(A)と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂(B)と、有機溶剤(S)とを含有し、前記有機溶剤(S)が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと3-メトキシブチルアセテートとを60:40〜20:80の質量比で混合した混合溶剤である厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/004 , G03F 7/039 , G03F 7/033 , G03F 7/032

FI (4件)：

G03F7/004 501 , G03F7/039 601 , G03F7/033 , G03F7/032

Fターム (28件)：

2H125AF18P , 2H125AF46P , 2H125AH06 , 2H125AH17 , 2H125AH19 , 2H125AJ13X , 2H125AJ53X , 2H125AJ54X , 2H125AJ56X , 2H125AJ60X , 2H125AK13 , 2H125AM10P , 2H125AM16P , 2H125AM80P , 2H125AN34P , 2H125AN38P , 2H125AN39P , 2H125AN42P , 2H125AN45P , 2H125AN57P , 2H125AN59P , 2H125AN63P , 2H125BA01P , 2H125BA26P , 2H125CA12 , 2H125CB05 , 2H125CC03 , 2H125CC15

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