微細パターン形成方法、及びパターン微細化用被覆形成剤

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：正林真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-160631
公開番号（公開出願番号）：特開2013-117710
出願日： 2012年07月19日
公開日（公表日）： 2013年06月13日
要約：

【課題】ネガ型現像プロセスにより形成されたレジストパターンをさらに微細化する、新規なレジストパターンの形成方法を提供すること。【解決手段】(A)酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する基材と、(B)光により酸を発生する化合物と、(C)溶剤とを含有するレジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する、レジスト膜形成工程と、露光工程と、露光後のレジストパターンを現像する現像工程と、レジストパターン上に、(A1)酸の作用により有機溶剤に対する溶解度が減少する樹脂と、(B1)溶剤とを含有する被覆形成剤を塗布して被覆膜を形成する、被覆膜形成工程と、被覆形成剤が塗布されたレジストパターンを加熱する、パターン厚肉化工程を含む方法によりレジストパターンを形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(A)酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する基材と、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、(C)溶剤とを含有するレジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する、レジスト膜形成工程、前記レジスト膜を露光する露光工程、露光後のレジスト膜を、前記現像液により現像してレジストパターンを形成する現像工程、前記レジストパターン上に、(A1)酸の作用により有機溶剤に対する溶解度が減少する樹脂と、(B1)溶剤とを含有する被覆形成剤を塗布して被覆膜を形成する、被覆膜形成工程、及び前記被覆形成剤が塗布されたレジストパターンを加熱して、前記レジストパターン表面に高分子量化を伴わないで前記現像液に対して難溶な層を形成してパターンを厚肉化する、パターン厚肉化工程を含む微細パターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/40 , G03F 7/039 , G03F 7/038 , G03F 7/32 , H01L 21/027

FI (6件)：

G03F7/40 511 , G03F7/039 601 , G03F7/038 601 , G03F7/32 , H01L21/30 502R , H01L21/30 570

Fターム (46件)：

2H096AA25 , 2H096BA06 , 2H096EA03 , 2H096EA05 , 2H096EA23 , 2H096FA01 , 2H096GA03 , 2H096HA05 , 2H096JA04 , 2H125AF17P , 2H125AF18P , 2H125AF38P , 2H125AF41P , 2H125AF70P , 2H125AH05 , 2H125AH13 , 2H125AH16 , 2H125AH17 , 2H125AH23 , 2H125AH24 , 2H125AH29 , 2H125AJ14X , 2H125AJ18X , 2H125AJ64X , 2H125AJ65X , 2H125AJ69X , 2H125AM12N , 2H125AM13N , 2H125AM15N , 2H125AM22N , 2H125AM23N , 2H125AN02P , 2H125AN21P , 2H125AN39P , 2H125AN42P , 2H125AN54P , 2H125AN59N , 2H125BA02P , 2H125BA26P , 2H125CA12 , 2H125CB09 , 2H125CC01 , 2H125CC17 , 2H125FA05 , 5F146LA12 , 5F146LA18

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