特許

J-GLOBAL ID：201303065787781120

金属ナノ構造体から作られる透明導電体におけるヘーズの改善のための金属ナノ構造体の精製

発明者： アルマンド, ピエール-マーク
出願人/特許権者： カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション
代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-526929
公開番号（公開出願番号）：特表2013-502515
出願日： 2010年08月24日
公開日（公表日）： 2013年01月24日
要約：

相対的に高アスペクト比のナノ構造体および低アスペクト比の形状のナノ構造体を含む粗製の複合反応混合物から金属ナノワイヤを単離および精製する方法、ならびに精製されたナノ構造体から作られる導電性フィルムが提供される。さらに別の実施形態は、少なくとも200オーム/sqの抵抗を有する、複数の銀ナノワイヤの導電性ネットワーク、および導電性フィルム1平方ミリメートル当たり1500個を超えない10未満のアスペクト比を有するナノ構造体を含む導電性フィルムを提供する。

請求項（抜粋）：

(a)10以上のアスペクト比を有するナノ構造体および10を超えないアスペクト比を有するナノ構造体を含む、ナノ構造体の粗混合物であって、ポリオール溶媒中に懸濁されている粗混合物を準備するステップ、 (b)水を前記粗混合物と合わせることによって第1の希釈粗混合物を準備するステップ、 (c)前記希釈粗混合物をケトンと合わせることによって合わせられたされたケトン混合物を準備するステップ、 (d)10以上のアスペクト比を有するナノ構造体を含む沈殿物、および10を超えないアスペクト比を有するナノ構造体の少なくとも一部を含む上清液を準備するステップであって、前記沈殿物の準備が、前記合わせられたケトン混合物の沈降を可能にすることを含む、ステップ、および (e)前記沈殿物から、前記10を超えないアスペクト比を有するナノ構造体の前記少なくとも一部を含む前記上清液を除去するステップ を含む、金属ナノワイヤを単離する方法。

IPC (5件)：

B22F 1/00 ,  B22F 9/24 ,  H01B 1/22 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00

FI (5件)：

B22F1/00 A ,  B22F9/24 E ,  H01B1/22 Z ,  H01B5/14 A ,  H01B13/00 503B

Fターム (22件)：

4K017AA03 ,  4K017BA02 ,  4K017CA04 ,  4K017CA08 ,  4K017DA01 ,  4K017DA07 ,  4K017EJ01 ,  4K017FB07 ,  4K018BA01 ,  4K018BB01 ,  4K018BB05 ,  4K018BC40 ,  4K018BD04 ,  4K018KA33 ,  5G301DA03 ,  5G301DA42 ,  5G301DD02 ,  5G307FA01 ,  5G307FB02 ,  5G307FC09 ,  5G323BA01 ,  5G323BB02

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Uniform Silver Nanowires Synthesis by Reducing AgNO3 with Ethylene Glycol in the Presence of Seeds