特許
J-GLOBAL ID:201303066819564158
照明器具
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長門 侃二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-220138
公開番号(公開出願番号):特開2013-012778
出願日: 2012年10月02日
公開日(公表日): 2013年01月17日
要約:
【課題】相関色温度が1600K以上であって2400K未満であり、Raが高い光を発する半導体発光装置および当該半導体発光装置を備えた半導体発光システムを提供する。【解決手段】半導体発光装置1は、半導体発光素子としてのLEDチップ10と、LEDチップ10を励起源として発光する蛍光体20とを備え、相関色温度が1600K以上であって2400K未満である光を発する。蛍光体20は、少なくとも緑色蛍光体および赤色蛍光体を含む。当該半導体発光装置1から発せられた光のスペクトルにおいて、LEDチップ10によって発せられた光のピーク強度の値が、蛍光体20が発した光の最大ピーク強度の60%未満の値になるようにする。【選択図】図8
請求項(抜粋):
380nm以上であって、430nm以下に発光ピークを有する光を放出する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を励起源として発光する蛍光体とを備え、
相関色温度が1600K以上であって2400K未満である光を発する半導体発光装置を備えた照明器具において、
前記蛍光体は、少なくとも青色蛍光体、緑色蛍光体および赤色蛍光体を含み、
前記半導体発光装置から発せられた光のスペクトルにおいて、前記半導体発光素子によって発せられた光のピーク強度の値が前記蛍光体が発した光の最大ピーク強度の60%未満の値であり、かつ前記蛍光体が発した光の最大ピークが600nm以上660nm以下に位置し、
前記半導体発光装置から発せられた光が通過する位置に、ろうそくの炎の形状を模した外形形状のカバー部材が設置されている
ことを特徴とする照明器具。
IPC (7件):
H01L 33/50
, C09K 11/08
, F21S 6/00
, F21V 29/00
, F21V 3/00
, F21V 3/04
, F21V 5/00
FI (8件):
H01L33/00 410
, C09K11/08 J
, F21S6/00 504
, F21V29/00 111
, F21V3/00 510
, F21V3/04 500
, F21V5/00 510
, F21V5/00 630
Fターム (42件):
3K014AA01
, 3K014LA01
, 3K014LB04
, 3K243MA01
, 4H001CA02
, 4H001CA05
, 4H001XA07
, 4H001XA08
, 4H001XA09
, 4H001XA12
, 4H001XA13
, 4H001XA14
, 4H001XA15
, 4H001XA17
, 4H001XA19
, 4H001XA20
, 4H001XA38
, 4H001XA56
, 4H001YA25
, 4H001YA63
, 5F142AA25
, 5F142BA02
, 5F142BA32
, 5F142CB22
, 5F142CD02
, 5F142CD18
, 5F142CE03
, 5F142CG03
, 5F142CG04
, 5F142CG05
, 5F142CG06
, 5F142DA03
, 5F142DA12
, 5F142DA13
, 5F142DA23
, 5F142DA36
, 5F142DA44
, 5F142DA45
, 5F142DA48
, 5F142DA52
, 5F142DA53
, 5F142DA73
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