特許

J-GLOBAL ID：201303066935386500

グラフェン構造体、グラフェン構造体の製造方法、光電変換素子、太陽電池及び撮像装置

発明者： 木村 望 ,  保原 大介 ,  小林 俊之 ,  坂東 雅史 ,  清水 圭輔 ,  角野 宏治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (6件)： 大森 純一 ,  折居 章 ,  中村 哲平 ,  吉田 望 ,  金子 彩子 ,  金山 慎太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-170810
公開番号（公開出願番号）：特開2013-035699
出願日： 2011年08月04日
公開日（公表日）： 2013年02月21日
要約：

【課題】本技術の目的は、ドーピングされたグラフェンの経時劣化を抑制することが可能なグラフェン構造体、その製造方法、光電変換素子、太陽電池及び撮像装置を提供すること【解決手段】本技術のグラフェン構造体は、導電層と保護層とを具備する。導電層は、ドーパントによりドーピングされたグラフェンからなる。保護層は、前記導電層に積層された、水より酸化還元電位が高い物質からなる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ドーパントによりドーピングされたグラフェンからなる導電層と、 前記導電層に積層された、水より酸化還元電位が高い物質からなる保護層と を具備するグラフェン構造体。

IPC (1件)：

C01B 31/02

FI (1件)：

C01B31/02 101Z

Fターム (26件)：

4G146AA01 ,  4G146AA16 ,  4G146AB07 ,  4G146AD15 ,  4G146AD17 ,  4G146AD22 ,  4G146AD24 ,  4G146AD30 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC01 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC25 ,  4G146BC26 ,  4G146BC33B ,  4G146BC37B ,  4G146BC43 ,  4G146CB12 ,  4G146CB15 ,  4G146CB19 ,  4G146CB23 ,  4G146CB29 ,  4G146CB34 ,  4G146CB35 ,  4G146CB36